HY[B/E]18L256169BF-7.5
256兆位移动-RAM
功能说明
场
位
TYPE
w
描述
部分阵列自刷新
000所有银行（默认）
001 1/2阵列（ BA1 = 0）
010 1/4阵列（BA = BA0 = 0）的
101 1/8阵列（ BA1 = BA0 = RA12 = 0 ）
110 1/16阵列（ BA1 = BA0 = RA12 = RA11 = 0 ）
注：所有其他位组合被保留。
PASR
[2:0]
2.2.1.6
部分阵列自刷新（ PASR ）
部分阵列自刷新是针对手机RAM的省电功能。与PASR ，自刷新可以是
仅限于整个阵列中的可变部分。选择包括所有的四家银行，两家银行，一家银行，一半
的一家银行，有四分之一一家银行。写入到非激活的存储部分数据后，会迷路
期间通过定义
t
REF
（参见
2.2.1.7
温度补偿自刷新（ TCSR ） ，带有片上温度
传感器
DRAM设备存储的数据作为在需要周期性刷新，以便保持微小的电容器的电荷
所存储的信息。此刷新要求在很大程度上取决于模头温度：高温
对应于短的刷新周期，并且低温下的对应于长的刷新周期。
移动-RAM配备有一个片上温度传感器，其连续地检测实际的模
温度，并调节在自刷新模式中相应的刷新周期。这使得在任何编程
TCSR位，扩展模式寄存器过时。它也是在兼容性方面的优越溶液和
省电，因为
•
•
•
它是完全兼容的所有的处理器不支持的扩展模式寄存器
它是完全兼容的所有应用程序，只写一个缺省（最坏情况） TCSR值，例如由于该
缺少一个外部温度传感器的
它不需要定期TCSR更新的任何处理器的交互
2.2.1.8
可选择的驱动强度
DQ输出缓冲器的驱动力是通过位的A5和A6可选，并应设置负载有关。该
半驱动强度，适用于典型的移动-RAM的应用程序。
数据表
11
牧师1.02 ， 2006-12
02032006-MP0M-7FQG
QIMONDA [ QIMONDA AG ]
