HY[B/E]18L256169BF-7.5
256兆位移动-RAM
功能说明
2.4
表6
命令
NOP
法案
RD
WR
BST
PRE
ARF
太太
–
–
COMMANDS
命令概述
CS RAS CAS WE DQM
H
L
L
L
L
L
L
L
L
–
–
X
H
L
H
H
H
L
L
L
–
–
X
H
H
L
L
H
H
L
L
–
–
X
H
H
H
L
L
L
H
L
–
–
X
X
X
L / H
L / H
X
X
X
X
L
H
地址
X
X
行/列
行/列
行/列
X
CODE
X
操作码
–
–
笔记
1)
2)
3)
4)
DESELECT
无操作
ACTIVE （选择银行和行）
READ （选择银行和列，并开始读突发）
WRITE （选择银行和列，并开始写突发）
BURST终止或
深度掉电
预充电（停用排在银行或银行）
自动刷新或
自刷新（进入自刷新模式时）
模式寄存器设置
数据写入/输出使能
写面膜/输出禁止（高阻）
5)
6)7)
8)
9)
1 ）撤销和NOP在功能上是可以互换的。
2 ） BA0 ， BA1提供银行地址， A0 - A12提供行地址。
3 ） BA0 ， BA1提供银行地址， A0 - A8提供列地址; A10 HIGH启用自动预充电功能（非
持续性） ， A10 LOW禁用自动预充电功能。
4 ）此命令BURST TERMINATE如果CKE为高电平，深度掉电如果CKE为低。该BURST TERMINATE
命令被定义为读或写突发与自动预充电仅禁用。
5 ） A10低： BA0 ， BA1确定哪些银行进行预充电。
A10高：所有银行预充电和BA0 ， BA1是“不关心” 。
6 ）此命令自动刷新，如果CKE为高电平时，自刷新，如果CKE为低。
7 ）内部的刷新计数器控制行和银行的处理;所有的输入和I / O的“不关心” ，除了CKE 。
8） BA0 ， BA1选择的模式寄存器（ BA0 = 0， BA1 = 0）或扩展模式寄存器（ BA0 = 0， BA1 = 1） ;其他
BA0的组合， BA1被保留; A0 - A12提供的操作码被写入到所选择的模式寄存器。
9） DQM低：数据上存在的DQ在写周期被写入到存储器中;在读使能DQ输出缓冲器
周期;
DQM高：目前关于DQS数据被屏蔽，因此在写周期不写入存储器; DQ输出缓冲器
在读周期置于高阻态（两个时钟延迟） 。
地址（ A0 - A12 ， BA0 ， BA1 ） ，写数据（ DQ0 - DQ15 ）和命令输入（ CKE ， CS ， RAS ， CAS，WE ， DQM ）
都登记在CLK的上升沿。
显示了基本的定时参数，这适用于所有
命令和操作。
图5
数据表
地址/命令输入时序参数
13
牧师1.02 ， 2006-12
02032006-MP0M-7FQG
QIMONDA [ QIMONDA AG ]
