数据表
HY[B/E]18M1G16[0/1]BF
1千兆位DDR移动-RAM
表2
内存寻址方案
项
银行
排
柱
地址
BA0 ， BA1
A0 - A12
A0 - A9
表3
订购信息
TYPE
1)
HYB18M1G160BF-6
HYB18M1G161BF-6
HYB18M1G160BF-7.5
HYB18M1G161BF-7.5
扩展级温度范围
HYE18M1G160BF-6
HYE18M1G161BF-6
HYE18M1G160BF-7.5
HYE18M1G161BF-7.5
166 MHz的4银行
×
8兆位
×
16低功耗移动DDR -RAM ， 1 CKE （ CKE ）
166 MHz的4银行
×
8兆位
×
16低功耗移动DDR -RAM ， 2 CKE （ CKE0和CKE1 ）
133 MHz的4银行
×
8兆位
×
16低功耗移动DDR -RAM ， 1 CKE （ CKE ）
133 MHz的4银行
×
8兆位
×
16低功耗移动DDR -RAM ， 2 CKE （ CKE0和CKE1 ）
描述
166 MHz的4银行
×
8兆位
×
16低功耗移动DDR -RAM ， 1 CKE （ CKE ）
166 MHz的4银行
×
8兆位
×
16低功耗移动DDR -RAM ， 2 CKE （ CKE0和CKE1 ）
133 MHz的4银行
×
8兆位
×
16低功耗移动DDR -RAM ， 1 CKE （ CKE ）
133 MHz的4银行
×
8兆位
×
16低功耗移动DDR -RAM ， 2 CKE （ CKE0和CKE1 ）
商业级温度范围
1 ） HYB / HYE ：代号为内存产品（ HYB ：标准温度范围; HYE ：扩展温度范围）
18M ： 1.8V移动DDR -RAM
1G ： 1Gbit的密度
160 ： 16位接口的宽度; DDR- Mobile的RAM - 一个CKE （ CKE ）
161 ： 16位接口的宽度; DDR- Mobile的RAM - 两个CKE （ CKE0和CKE1 ）
B：模具修改
F：绿色产品
- 6 / -7.5 ：速度等级（分时钟周期的时间。 ）
Rev.1.0 ， 2007-03
10242006-Y557-TZXW
4
QIMONDA [ QIMONDA AG ]
