数据表
HY[B/E]18M1G16[0/1]BF
1千兆位DDR移动-RAM
1.4
球的定义和说明
表4
球说明
球
CK ， CK
CKE或CKE0 ，
CKE1
TYPE
输入
输入
详细功能
时钟： CK和CK是差分时钟输入。所有的地址和控制输入采样
渡CK和CK的下降沿的上升沿的。
时钟使能： CKE高激活和CKE低停用内部时钟信号和设备
输入缓冲器和输出驱动器。以CKE低提供预充电掉电和自
刷新操作（所有银行闲置） ，或主动断电（行积极参与任何银行） 。 CKE必须
保持高通量读取和写入访问。输入缓冲器，但不包括CK ， CK和CKE
在断电期间被禁用。输入缓冲器，但不包括CKE是在自刷新无效。
芯片选择：当CS为高电平注册的所有命令被屏蔽。 CS提供了外部
在与多家银行系统，银行的选择。 CS被认为是命令代码的一部分
输入命令：
RAS ， CAS和WE （连同CS ）被定义输入的命令。
数据输入/输出：
双向数据总线（16位）的
数据选通：与读出的数据，输入具有写入数据输出。边沿对齐的读数据，中心
与写入数据。用于捕获写数据。
LDQS对应于DQ0数据 - DQ7 ， UDQS对DQ8数据 - DQ15
输入数据掩码： DM是输入掩码信号写入数据。当DM是输入数据被屏蔽
在写访问取样与输入数据的高重合。 DM采样上都
DQS的边缘。虽然DM球是唯一的输入，在DM加载的DQ和DQS相匹配
装载。 DM可以被驱动为高电平，低电平或浮过程中的读取。 LDM对应于数据
在DQ0 - DQ7 ， UDM对DQ8数据 - DQ15
银行地址输入：
BA0和BA1确定哪个银行的启动，读取，写入或
预充电命令被应用。 BA0 ， BA1也确定哪个模式寄存器将被
一个模式寄存器设置命令（MRS或EMRS ）中加载。
地址输入：提供行地址为ACTIVE命令和列地址和
自动预充电位为读/写命令，以选择一个位置从存储器阵列的
在各个银行。 A10 （= AP）的预充电命令，以确定是否在被采样
预充电适用于一家银行（ A10 = LOW）或所有银行（ A10 =高） 。如果只有一个银行
被预充电，该行被选中BA0和BA1 。地址输入也提供了选购
一个模式寄存器设置命令中的代码。
I / O电源：
隔离电源的DQ输出缓冲器，以提高抗干扰性：
V
DDQ
= 1.70
V
−
1.90 V
I / O接地
电源：
电源的核心逻辑和输入缓冲器，
V
DD
= 1.70 V
−
1.90 V
地
无连接
CS0
CS1
DQ0 - DQ15
LDQS ， UDQS
输入
RAS ， CAS ， WE
输入
I / O
I / O
LDM ， UDM
输入
BA0 ， BA1
输入
A0 - A12
输入
V
DDQ
V
SSQ
V
DD
V
SS
北卡罗来纳州
供应
供应
供应
供应
–
Rev.1.0 ， 2007-03
10242006-Y557-TZXW
8
QIMONDA [ QIMONDA AG ]
