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HYB18T1G160BF-3S 参数 Datasheet PDF下载

HYB18T1G160BF-3S图片预览
型号: HYB18T1G160BF-3S
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内容描述: 1千兆位双数据速率- SDRAM双 [1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
文件页数/大小: 74 页 / 4044 K
品牌: QIMONDA [ QIMONDA AG ]
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互联网数据表
HY[B/I]18T1G[40/80/16]0B[C/F](L/V)
1千兆位双数据速率- SDRAM双
球#
J1
J7
名字
TYPE
PWR
PWR
NC
卜FF器
TYPE
功能
电源
电源
没有连接
V
DDL
V
SSDL
没有连接
×4
组织
A1, A2, A8, A9,
NC
E 2, F 9 ,H1 ,F1
R 7 ,H9, W1,
W2, W8, W9,
R3
A1, A2, A8, A9,
NC
R7, W1,W2
W8 , W9 , R3
K9
ODT
没有连接
×8
组织
NC
没有连接
其他球
×4×8
组织
I
SSTL
片上终端控制
表8
简称为球型
缩写
I
O
I / O
AI
PWR
GND
NC
描述
标准只输入球。数字化水平。
输出。数字化水平。
I / O是双向输入/输出信号。
输入。模拟电平。
动力
没有连接
表9
缩写缓冲器类型
缩写
SSTL
LV- CMOS
CMOS
OD
描述
串行存根终止逻辑( SSTL_18 )
低压CMOS
CMOS电平
漏极开路。相应的球有2运行状态,低电平有效和三态,并
允许多个设备共享为线或。
修订版1.3 , 2007-07
03062006-ZNH8-HURV
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