互联网数据表
HYB25D128xxxC[C/E/F/T](L)
128 - Mbit的双数据速率SDRAM
表2
订购Informationfor不符合RoHS的产品
产品型号
HYB25D128160CT–5
HYB25D128800CT–5
HYB25D128800CT–6
HYB25D128160CT–6
HYB25D128400CT–7
HYB25D128800CC–5
HYB25D128400CC–6
HYB25D128800CC–6
组织。
×16
×8
×8
×16
×4
×8
×4
×8
3-3-3
2.5-3-3
143
200
166
2.5-3-3
2-3-3
166
133
DDR266A
DDR400B
DDR333
2.5-3-3
166
2-3-3
133
DDR333
CAS- RCD-
时钟
RP潜伏期（兆赫）
3-3-3
200
CAS- RCD -RP时钟
潜伏期
（兆赫）
2.5-3-3
166
速度
DDR400B
包
记
P- TSOPII - 66-2 -
—
—
—
—
P- FBGA - 60-12 -
—
—
表3
订单信息符合RoHS的产品
产品型号
1)
HYB25D128160CE–5
HYB25D128800CE–5
HYB25D128800CF–5
HYB25D128160CE–6
HYB25D128400CE–6
HYB25D128800CE–6
HYB25D128800CF–6
HYB25D128400CE–7
HYB25D128800CE–7
×4
×8
143
×16
×4
×8
2.5-3-3
166
2-3-3
133
DDR333
组织。
×16
×8
CAS- RCD -RP
潜伏期
3-3-3
时钟CAS- RCD -RP
（ MHz）的潜伏期
200
2.5-3-3
时钟
（兆赫）
166
速度
包
记
2)
DDR400B PG- TSOPII - 66-1 -
—
PG- FBGA - 60-19 -
PG- TSOPII - 66-1 -
—
—
PG- FBGA - 60-19 -
DDR266A PG- TSOPII - 66-1 -
—
1 ） HYB ：代号为内存组件25D ： DDR SDRAM芯片的
V
DDQ
= 2.5 V 128 ： 128兆位密度400/800/160 ：产品差异
×4,
×8
和
×16
C：模具修订CT / E / C：封装形式TSOP和FBGA L：低功率版（应要求提供） - 这些组件
特别选择低
I
DD6
自刷新电流-5 / 6/7 / 7F / 8 ：速度等级 - 见
2 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义
在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，
铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。
修订版1.6 ， 2007-02
03292006-U5AN-6TI1
5
QIMONDA [ QIMONDA AG ]
