HY[B/E]25L256160A[F/C]–7.5
的256Mbit移动-RAM
概观
1.2
描述
在的256Mbit移动-RAM是新一代低功耗，四银行同步DRAM组织为
4银行×4兆位×16与移动应用的附加功能。同步移动-RAM中实现
通过使用一个芯片的架构，预取多个位，然后进行同步高速数据传输速率
的数据输出到系统时钟。
该装置增加了新的功能，支持同步DRAM产品树立了行业标准。存储器的部件
阵列可以被选择用于自刷新，并且在刷新周期自刷新是可编程的，以4个步骤
这样可大大减少自刷新电流，根据在所述部件的情况下，温度
系统应用。另外一种“深度掉电模式”可用。操作四个存储体中
交错的方式允许在较高的速度随机存取操作。一个顺序和无缝数据速率
可能因突发长度， CAS延迟和设备的速度等级。
移动-RAM被装在一个FBGA “芯片尺寸”套餐。移动-RAM是在商业上可
(0
°
C
≤
TC
≤
70
°
C）和扩展（ -25 ° C至+ 85 ° C）温度范围。
表2
对非绿色产品订货信息
功能码
PC133–333–522
PC133–333–522
外壳温度范围
商用（ 0
°
C
≤
TC
≤
70
°
C)
扩展（ -25°C至+ 85 ° C）
包
P-TFBGA-54
P-TFBGA-54
产品类型
HYB25L256160AC–7.5
HYE25L256160AC–7.5
表3
订购信息绿色产品
功能码
PC133–333–522
PC133–333–522
外壳温度范围
商用（ 0
°
C
≤
TC
≤
70
°
C)
扩展（ -25°C至+ 85 ° C）
包
P-TFBGA-54
P-TFBGA-54
产品类型
1)
HYB25L256160AF–7.5
HYE25L256160AF–7.5
1 ） HYB / E ：代号为商业/扩展级温度范围内存组件
25L:
移动RAM
at
V
DD
= 2.5 V
256 ： 256兆位密度
160 ：产品差异X16
答：模具修订版A
F / C：铅&无卤素/无铅含
–
7.5 ：速度等级 - 见
互联网数据表
4
牧师1.41 ， 2006-12
04292004-EQNL-FLNW
QIMONDA [ QIMONDA AG ]
