互联网数据表
HYB25DC128[800/160]C[E/F]
128 - Mbit的双数据速率SDRAM
双向数据选通（ DQS）与外部发送，与数据一起，用于在接收器中的数据采集应用。 DQS是
频闪的过程中读取和写操作过程中的内存控制器传输。 DQS是边沿对齐数据的读取
和中心对齐进行写入数据。
在128兆位双数据速率SDRAM的工作在差分时钟（ CK和CK ; CK的交叉变为高电平并
CK变低被称为CK的上升沿） 。命令（地址和控制信号）被注册在每
CK的上升沿。输入数据被登记在DQS的两个边缘，而输出数据被引用到的DQS的两个边缘，如
以及对照的两个边缘。
读取和写入访问到DDR SDRAM是突发式;存取开始在一个选定的位置，并持续一段
在编程序列位置设定的号码。访问开始激活命令的登记，
，然后接着是读或写命令。注册与激活指令的地址位用于
选择银行和行进行访问。地址位注册暗合了读或写命令使用
选择银行和突发访问的起始列位置。
在DDR SDRAM中提供可编程的读或写的2，4或8个位置脉冲串长度。在自动预充电功能
可被使能，以提供一个自定时行预充电在脉冲串存取的端发起的。
与标准的SDRAM ， DDR SDRAM芯片的流水线，多组结构允许并发操作，从而
通过隐藏行预充电及激活时间提供高的有效带宽。
自动刷新模式与省电省电模式一起提供。所有输入均与行业兼容
标准SSTL_2 。所有输出SSTL_2 ， II级兼容。
注：所描述的功能并包含在此数据表中的时序规格适用的DLL启用模式
操作。
表2
订单信息符合RoHS的产品
产品型号
1)
HYB25DC128800CE-5
HYB25DC128160CE-5
HYB25DC128160CF-5
HYB25DC128800CE–6
HYB25DC128160CE–6
HYB25DC128800CF–6
HYB25DC128160CF–6
组织。 CAS- RCD -RP
潜伏期
×8
×16
×16
×8
×16
×8
×16
PG-TFBGA-60
2.5-3-3
166
2-3-3
133
PG-TFBGA-60
DDR333B PG- TSOPII -66
3-3-3
时钟CAS- RCD -RP时钟速度
（ MHz）的潜伏期
（兆赫）
200
2.5-3-3
166
包
记
2)
DDR400B PG- TSOPII -66
1 ） HYB ：代号为内存组件
25DC ：■在
V
DDQ
= 2.5 V
128 ： 128兆位密度
一百六十○分之八百：变型产品
×8
和
×16
C：模具修订版C
F / E：包装类型TSOP和FBGA
L：低功率版（应要求提供） - 这些组件是专门选择低
I
DD6
自刷新电流
-5 ， - 6 ：速度等级
2 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义
在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，
铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。
修订版1.1 ， 2007-01
03062006-JXUK-E7R1
4
QIMONDA [ QIMONDA AG ]
