数据表
HY[B/I]39S128[40/80/16][0/7]F[E/T](L)
128兆位同步DRAM
1
1.1
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概观
特点
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数据掩码为读/写控制（ X4，X8 ）
字节控制数据面膜（ X16 ）
自动刷新（ CBR）和自刷新
掉电和时钟挂起模式
4096刷新周期/ 64毫秒（ 15.6
μs)
随机列地址每CLK （ 1 -N规则）
单3.3 V± 0.3 V电源
LVTTL接口
塑料封装：P （ G） -TSOPII - 54 400密耳的宽度
本章列出的产品系列HY [B / I] 39S128 [ 40/80/16 ] [ 0/7 ] F [ E / T] （ L）和订购信息的所有主要功能。
完全同步的时钟上升沿
0到70
°C
标准工作温度
-40到85
°C
工业工作温度
由BA0 & BA1控制四家银行
可编程CAS延时： 2 & 3
可编程的缠绕顺序：顺序或交织
可编程的突发长度：1， 2 ，4，8和整版
多个突发读取与单写操作
自动和控制预充电命令
表1
性能
产品型号代码的运行速度
速度等级
马克斯。时钟频率
@CL3
–7
PC133–222
单位
—
兆赫
ns
ns
ns
ns
@CL2
f
CK3
t
CK3
t
AC3
t
CK2
t
AC2
143
7
5.4
7.5
5.4
1.2
描述
在HY [B / I] 39S128 [ 40/80/16 ] [ 0/7 ] F [ E / T] （ L）四个银行同步DRAM的组织为32兆比特X4 ， 16兆比特X8
和8 Mbit的X16 。这些同步设备实现了CAS延迟了高速数据传输速率
采用芯片体系结构，预取多个位，然后输出数据同步到系统时钟。该芯片
被制造与奇梦达的先进0.11
μm
128兆位DRAM制程技术。
该设备被设计为符合同步DRAM产品设置的所有行业标准，电气和
机械。所有的控制，地址，数据输入输出电路均与一个外部的正边沿同步
提供的时钟。
操作的四个存储体中的交错的方式允许随机存取操作发生在更高的速度比是
可以使用标准的DRAM 。一个顺序和无缝数据速率可能因突发长度， CAS延迟和
该设备的速度等级。
自动刷新（ CBR）和自刷新操作的支持。这些器件采用单3.3 V± 0.3 V电源。
所有的128 - Mbit的成分是P（ G） -TSOPII - 54封装。
牧师1.32 ， 2007-10
10122006-I6LJ-WV3H
3
QIMONDA [ QIMONDA AG ]
