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HY[B/I]39SC256[80/16]0F[E/F]
256兆位同步DRAM
1.2
描述
输出电路具有一个上升沿同步
外部提供时钟。
操作四个存储体交错的方式
允许随机存取操作发生在更高的速度比
可以用标准的DRAM 。一个顺序和无间隙
数据速率是可能的根据脉冲串长度， CAS等待时间
和速度的设备的等级。
自动刷新（ CBR）和自刷新操作是
支持。这些器件具有一个3.3 V± 0.3 V电源供电
电源。所有256兆位成分都可用的PG-
TSOPII -54和PG- TFBGA -54封装。
该
HY[B/I]39SC256[80/16]0F[E/F]
是
FOUR
银行
同步
DRAM的
有组织的
16兆位
×8
和8 Mbit的X16 。这些同步设备
实现了CAS延迟了高速数据传输速率
采用的芯片架构，多个预取位
然后将输出数据同步到系统时钟。该
芯片制造与先进的奇梦达0.11
µm
256-MBit
DRAM制程技术。
该设备被设计为符合所有行业标准
设定为同步DRAM的产品，在电气上和
机械。所有的控制，地址，数据输入和
表2
对于符合RoHS的产品订货信息
产品类型
1)
HYB39SC256800FE-6
HYB39SC256160FE-6
HYB39SC256800FE-7
HYB39SC256800FEH-7
HYB39SC256160FE-7
HYB39SC256160FEH-7
HYB39SC256160FF-6
HYB39SC256160FF-7
HYB39SC256800FF-7
工业温度（ -40 〜85
°C)
HYI39SC256800FE-6
HYI39SC256160FE-6
HYI39SC256800FE-7
HYI39SC256160FE-7
PC133–222
PC166–333
166MHz的16M
×8
SDRAM
166MHz的8M
×16
SDRAM
143MHz下16M
×8
SDRAM
143MHz下8M
×16
SDRAM
PG-TSOPII-54
速度等级
PC166–333
PC133–222
描述
166MHz的16M
×8
SDRAM
166MHz的8M
×16
SDRAM
143MHz下16M
×8
SDRAM
143MHz下8M
×16
SDRAM
包
PG-TSOPII-54
记
2)
标准工作温度（0 〜70
°C)
PC166–333
PC133–222
166MHz的8M
×16
SDRAM
143MHz下8M
×16
SDRAM
143MHz下8M
×8SDRAM
PG-TFBGA-54
1 ）与奇梦达的代表是提前期和首选设备的可用性和版本满足您的项目，请检查
要求。
2 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义
在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，
铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。
注：有关产品命名看
这个数据表
牧师1.25 ，2007-06
03062006-NMGU-CQ9D
4
QIMONDA [ QIMONDA AG ]
