欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

HYE18L256160BFX-7.5 参数 Datasheet PDF下载

HYE18L256160BFX-7.5图片预览
型号: HYE18L256160BFX-7.5
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: DRAM的移动应用256兆移动-RAM [DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 48 页 / 1590 K
品牌: QIMONDA [ QIMONDA AG ]
 浏览型号HYE18L256160BFX-7.5的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HYE18L256160BFX-7.5的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HYE18L256160BFX-7.5的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HYE18L256160BFX-7.5的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HYE18L256160BFX-7.5的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HYE18L256160BFX-7.5的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HYE18L256160BFX-7.5的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HYE18L256160BFX-7.5的Datasheet PDF文件第9页  
HY[B/E]18L256160B[C/F]X-7.5
256兆位移动-RAM
概观
1
1.1
概观
特点
4银行
×
4兆位
×
16组织
完全同步的时钟上升沿
四大银行内部的并发操作
可编程CAS延时: 2,3
可编程的突发长度:1, 2 ,4,8或整页
可编程的缠绕顺序:顺序​​或交织
可编程驱动强度
自动刷新和自刷新模式
8192刷新周期/ 64毫秒
自动预充电
商用(0 ° C至+ 70 ° C)和扩展( -25 ° C至+ 85°C )的工作温度范围
54球P- VFBGA封装( 12.0
×
8.0
×
1.0 mm)
符合RoHS产品
1)
省电功能
低电源电压:
V
DD
= 1.70V到1.95V ,
V
DDQ
= 1.70V到1.95V
优化的自刷新(
I
DD6
)和待机电流(
I
DD2
/
I
DD3
)
可编程部分阵列自刷新( PASR )
温度补偿自刷新( TCSR ) ,片上温度传感器控制
掉电和深度掉电模式
性能
- 7.5
133
CL = 3
CL = 2
时钟周期(
t
CKMIN
)
CL = 3
CL = 2
表2
银行
内存寻址方案
地址
BA0 , BA1
A0 - A12
A0 - A8
5.4
6.0
7.5
9.5
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
表1
产品型号代码的运行速度
速度等级
访问时间(
t
ACMAX
)
1 )符合RoHS产品:电器使用某些有害物质( RoHS指令)的限制和
作为指令2002/95 / EC的委员会,欧洲议会和颁布定义的电子设备
2003年1月27日,这些物质包括汞,铅,镉,六价铬,多溴
联苯和多溴联苯醚。
数据表
3
牧师1.11 , 2007-01
07142005-CR47-RB2E