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    HYE18L256160BFX-7.5 参数 Datasheet PDF下载

    HYE18L256160BFX-7.5图片预览
    型号： HYE18L256160BFX-7.5
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    内容描述： DRAM的移动应用256兆移动-RAM [DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM]
    分类和应用： 动态存储器
    文件页数/大小： 48 页 / 1590 K
    品牌： QIMONDA [ QIMONDA AG ]
     浏览型号HYE18L256160BFX-7.5的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HYE18L256160BFX-7.5的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HYE18L256160BFX-7.5的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HYE18L256160BFX-7.5的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HYE18L256160BFX-7.5的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HYE18L256160BFX-7.5的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HYE18L256160BFX-7.5的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HYE18L256160BFX-7.5的Datasheet PDF文件第9页  
    HY[B/E]18L256160B[C/F]X-7.5
    256兆位移动-RAM
    概观
    1.3
    描述
    在HY [B / E] 18L256160B [C / F] X是一个高速CMOS ，包含动态随机存取存储器
    268435456位。它在内部配置为四银行DRAM 。
    在HY [B / E] 18L256160B [C / F] X通过采用芯片架构实现高速的数据传输率是
    预取多个位，然后输出数据同步到系统时钟。读取和写入访问被
    爆导向;存取开始在一个选定的位置，并继续进行的位置（ 1 ，2，4编程的号码，
    8或整页）在编程序列。
    该设备的操作是完全同步：所有输入被登记在CLK的上升沿。
    在HY [B / E] 18L256160B [C / F] X是专为移动应用而设计。它采用1.8V电源
    供应量。功率消耗在自刷新模式时急剧由一个片上温度传感器减压
    （ OCTS ） ;它可以进一步通过使用可编程的部分阵列自刷新（ PASR ）减小。
    常规的数据保持掉电（PD）模式是可用的，以及一个非数据保持深电源 -
    向下（ DPD ）模式。
    在HY [B / E] 18L256160B [C / F] X安装在一个54球P- VFBGA封装。它在商业（可用0
    °C
    to
    70
    °C)
    和扩展（ -25
    °C
    85
    °C)
    温度范围。
    图2
    数据表
    功能框图
    5
    牧师1.11 ， 2007-01
    07142005-CR47-RB2E

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