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HYI25DC512800CE-6 参数 Datasheet PDF下载

HYI25DC512800CE-6图片预览

型号：	HYI25DC512800CE-6
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	512 - Mbit的双数据速率SDRAM [512-Mbit Double-Data-Rate SDRAM]
分类和应用：	存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小：	30 页 / 1716 K
品牌：	QIMONDA [ QIMONDA AG ]

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初步互联网数据表

HYI25DC512[16/80]0CE

512 - Mbit的双数据速率SDRAM

球＃ / ＃引脚

名字

针

TYPE

PWR

PWR

NC

卜FF器

TYPE

—

—

—

功能

电源

电源

没有连接

6, 12, 52, 58, 64 V

SSQ

34

V

SS

没有连接

×8

组织

4，7， 10，13 ，14，数控

16, 17, 19, 20,

25, 43, 50, 53,

54, 57, 60, 63

14, 17, 19, 25,

42, 43, 50, 53

NC

没有连接

×16

组织

NC

—

没有连接

表4

缩写引脚类型

缩写

I

O

I / O

AI

PWR

GND

NC

描述

标准的输入引脚。数字水准仪

输出。数字水准仪

I / O是双向输入/输出信号

输入。模拟电平

动力

地

没有连接

表5

缩写缓冲器类型

缩写

SSTL

LV- CMOS

CMOS

OD

描述

串行存根Terminalted逻辑（ SSTL2 ）

低压CMOS

CMOS电平

漏极开路。相应的引脚2的运行状态，低电平有效和三态，并

允许多个设备共享为线或

修订版0.7 ， 2006-12

11292006-TAIE-H645

7

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