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HYI25DC512800CE-6 参数 Datasheet PDF下载

HYI25DC512800CE-6图片预览
型号: HYI25DC512800CE-6
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内容描述: 512 - Mbit的双数据速率SDRAM [512-Mbit Double-Data-Rate SDRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 30 页 / 1716 K
品牌: QIMONDA [ QIMONDA AG ]
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初步互联网数据表
HYI25DC512[16/80]0CE
512 - Mbit的双数据速率SDRAM
2
芯片配置
一个DDR SDRAM的芯片配置在列出的功能
在Pin # / #缓冲柱所用的缩写
在解释
分别。该芯片编号为TSOP的描述
.
表3
DDR SDRAM内存芯片配置
球# / #引脚
时钟信号
45
46
44
控制信号的
23
22
21
24
26
27
29
30
31
32
35
36
37
38
39
40
28
41
42
RAS
CAS
WE
CS
BA0
BA1
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
AP
A11
A12
NC
17
A13
NC
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
NC
I
NC
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
地址信号12
注:基于256 MB或更大的模具模块
注:基于128 MB或更小的裸片模块
地址信号13
注: 1基于千兆模块
注:基于512 MB或更小的裸片模块
地址总线11:0
行地址选通
列地址选通
写使能
芯片选择
银行地址总线2 : 0
CK
CK
CKE
I
I
I
SSTL
SSTL
SSTL
时钟信号
互补时钟信号
时钟使能
名字
TYPE
卜FF器
TYPE
功能
地址信号
修订版0.7 , 2006-12
11292006-TAIE-H645
5