互联网数据表
HYS64T256022EDL–[25F/2.5/3/3S/3.7]–B
小外形封装的DDR2 SDRAM模块
1
概观
本章介绍了200针双概述模具小外形- DDR2 -SDRAM模块产品系列，并介绍
它的主要特征。
1.1
特点
•通过EMRS2设置可编程自刷新速率
•通过EMRS2设置可编程部分阵列刷新
•平均更新周期7.8
µs
在
T
例
低于85 ℃，
在85 ℃〜 95℃ 3.9μs 。
• DCC通过EMRS2设置启用
•所有输入和输出SSTL_18兼容
•片外驱动器阻抗调整（ OCD）和片上
端接（ ODT ）
•串行存在检测为E
2
舞会
• SO- DIMM尺寸（标称） ：
30毫米高67.6毫米宽
•基于标准的参考布局生卡“ D”
•符合RoHS标准的产品
1)
• 200针PC2-6400 ， PC2-5300和PC2-4200 DDR2
SDRAM内存模块。
• 256M
×
64模块组织和2-
×
128M
×
8芯片
组织
•标准双倍数据速率 - 双同步DRAM
（ DDR2 SDRAM ），采用单+ 1.8 V （ ± 0.1 V）电源
供应
• 2GB模块与内置堆叠1GB DDR2 SDRAM芯片的
PG- TFBGA - 71封装chipsize
•比DDR2-400更快的所有速度等级符合
DDR2-400时序规范。
•可编程CAS潜伏期（ 3，4， 5和6） ，突发
长度（ 8 & 4 ）和突发类型
•
爆刷新，刷新分布式和自刷新
表1
性能表
产品型号代码的运行速度
速度等级
马克斯。时钟频率
@CL6
@CL5
@CL4
@CL3
分钟。 RAS -CAS延迟
分钟。行预充电时间
分钟。行活动时间
分钟。行周期时间
–25F
PC2–6400
5–5–5
–2.5
PC2–6400
6–6–6
400
333
266
200
15
15
45
60
–3
PC2–5300
4–4–4
–
333
333
200
12
12
45
57
–3S
PC2–5300
5–5–5
–
333
266
200
15
15
45
60
–3.7
PC2–4200
4–4–4
–
266
266
200
15
15
45
60
单位
—
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
f
CK6
f
CK5
f
CK4
f
CK3
t
RCD
t
RP
t
RAS
t
RC
400
400
266
200
12.5
12.5
45
57.5
1 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义
在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，
铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。
1.0版， 2006-11
11172006-DXYK-2PPW
3
QIMONDA [ QIMONDA AG ]
