互联网数据表
HYS64T256022EDL–[25F/2.5/3/3S/3.7]–B
小外形封装的DDR2 SDRAM模块
1.2
描述
存储器阵列的设计与叠1千兆位双精度型
数据速率 - 双（DDR2 ）同步DRAM中。脱钩
电容器被安装在PCB上。该特性的DIMM
串行存在检测基于串行é
2
PROM设备
使用2针I
2
C协议。前128个字节是
编程的配置数据和被写保护;
第二个128字节是提供给客户。
奇梦达HYS64T256022EDL- [ 25F / 2.5 / 3 / 3S / 3.7 ] -B
模块系列是小外形模块“ SO- DIMM内存模块”与
基于DDR2技术3000毫米的高度。 DIMM是
可作为非ECC模块256M
×
64 （ 2 GB）
组织和密度，用于安装到200针
连接器插座。
表2
对于符合RoHS的产品订货信息
产品类型
1)
PC2–6400
HYS64T256022EDL–25F–B
PC2–6400
HYS64T256022EDL–2.5–B
PC2–5300
HYS64T256022EDL–3–B
PC2–5300
HYS64T256022EDL–3S–B
PC2–4200
HYS64T256022EDL–3.7–B
2GB 2R × 8 PC2-4200S - 444-12 -D0
2级，非ECC
1吉比特（ × 8 ）
1 ）所有产品类型数字结尾的地方的代码，指定硅片版本。例如： HYS64T256022EDL - 3.7 -B ，表示
修订版“B”的模具被用于DDR2 SDRAM元件。对于所有的奇梦达DDR2模块和组件的命名看
of
此数据表。
2 ）合规守则印在模块标签上，并描述了速度等级，如“ PC2-4200S - 444-12 -D0 ”，其中
4200S是指SO -DIMM模块4.26 GB /秒的带宽模块和“ 444-12 ”，是指列地址选通（ CAS ）延迟= 4 ，
行列延迟（ RCD ）的延迟= 4，行预充电（ RP ）延迟= 4采用了最新的JEDEC SPD 1.2版和制作上
在原卡“ D” 。
合规守则
2)
2GB 2R × 8 PC2-6400S - 555-12 -D0
2GB 2R × 8 PC2-6400S - 666-12 -D0
2GB 2R × 8 PC2-5300S - 444-12 -D0
2GB 2R × 8 PC2-5300S - 555-12 -D0
描述
2级，非ECC
2级，非ECC
2级，非ECC
2级，非ECC
SDRAM技术
1吉比特（ × 8 ）
1吉比特（ × 8 ）
1吉比特（ × 8 ）
1吉比特（ × 8 ）
表3
地址格式
DIMM密度
2 GB的
模块
组织
256M
×64
内存
秩
2
ECC /
非ECC
非ECC
排名第
SDRAM的
16
＃行/行/列的位
14/3/10
RAW卡
D
表4
在模块组件
产品类型
1)
HYS64T256022EDL
DRAM组件
HYB18T2G802BF
DRAM密度
2
×1
千兆位
DRAM组织
2× 128M
×8
记
2)
1 ）绿色产品
2）关于这些模块在DRAM元件的所有功能的详细描述，请参见组件数据表。
1.0版， 2006-11
11172006-DXYK-2PPW
4
QIMONDA [ QIMONDA AG ]
