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HYS72D[128/64/32]3xx[G/H]BR–[5/6/7]–C
录得双数据速率SDRAM
表3
订购信息无铅（符合RoHS ）产品
产品类型
1)
PC3200 （ CL = 3.0 ）
HYS72D32300HBR–5–C
HYS72D64300HBR–5–C
HYS72D64320HBR–5–C
PC2700 （CL = 2.5）
HYS72D32300HBR–6–C
HYS72D64300HBR–6–C
HYS72D64320HBR–6–C
PC2100 （CL = 2.0）
HYS72D32300HBR–7–C
HYS72D64300HBR–7–C
PC2100R–20330–A0
PC2100R–20330–C0
1排名256 MB注册的DIMM ECC
1排名512 MB注册的DIMM ECC
2级1 GB的注册DIMM ECC
256兆位（ × 8 ）
256兆位（ ×4）的
256兆位（ ×4）的
PC2700R–25330–A0
PC2700R–25330–C0
PC2700R–25330–B0
1排名256 MB注册的DIMM ECC
1排名512 MB注册的DIMM ECC
2级1 GB的注册DIMM ECC
256兆位（ × 8 ）
256兆位（ ×4）的
256兆位（ ×4）的
PC3200R–30330–A0
PC3200R–30330–C0
PC3200R–30330–B0
1排名256 MB注册的DIMM ECC
1排名512 MB注册的DIMM ECC
256兆位（ × 8 ）
256兆位（ ×4）的
合规守则
2)
描述
SDRAM
技术
记
3)
2点512 MB注册的DIMM ECC 256兆位（ × 8 ）
2点512 MB注册的DIMM ECC 256兆位（ × 8 ）
HYS72D128320HBR - 6 -C PC2700R - 25330 -D0
HYS72D128320HBR - 7 -C PC2100R - 20330 -D0
1 ）所有的产品类型与结束的地方代码指定的硅芯片版本。可应要求提供参考信息。
例如： HYS72D128300GBR -5 -B中，指示Rev.B的模具被用于SDRAM的组件。
2）符合代码打印在所述模块的标签和描述了速度的排序（例如，“ PC2100R ” ），则等待时间（例如
“ 20330 ”是指中国科学院2.0时钟延迟，行，列延时（ RCD ）的3个时钟周期的延迟和行的3个时钟预充电延迟） ， JEDEC
SPD定义代码版本0和原卡用于此模块。
3 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义
在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，
铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。
牧师1.32 ， 2007-03
03292006-Q22P-G7TH
5
QIMONDA [ QIMONDA AG ]
