通用6 -PIN
PHOTODARLINGTON光耦合器
4N29
电气特性
4N30
4N31
4N32
4N33
(T
A
= 25°C除非另有规定。 ）
单个组件特性
参数
辐射源
*输入正向电压
*反向漏电流
*电容
探测器
V
*集电极 - 发射极击穿电压
*集电极 - 基极击穿电压
*发射极 - 集电极击穿电压
*集电极 - 发射极暗电流
直流电流增益
测试条件
(I
F
= 10 mA）的
(V
R
= 3.0 V)
(V
F
= 0 V ， F = 1.0兆赫）
(I
C
= 100 ¼A ，我
B
= 0)
(I
C
= 100 ¼A ，我
E
= 0)
(I
E
= 100 ¼A ，我
B
= 0)
(V
CE
= 10 V ，基极开路）
(V
CE
= 5.0 V，I
C
= 500 µA)
符号
V
F
I
R
C
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
ECO
I
首席执行官
h
FE
30
30
5.0
民
典型值
1.2
0.001
150
60
100
8
1
5000
100
V
V
nA
最大
1.5
100
单位
V
µA
pF
传输特性
DC特性
*集电极输出电流
(1,2)
(4N32, 4N33)
（ 4N29 ， 4N30 ） （我
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V，I
B
= 0) I
C
（ CTR ）
(4N31)
*饱和电压
(2)
(4N29, 4N30, 4N32, 4N33)
(4N31)
(I
F
= 8.0毫安，我
C
= 2.0 mA）的
V
CE （ SAT ）
测试条件
符号
民
50 (500)
10 (100)
5 (50)
1.0
1.2
V
MA（ ％ ）
典型值
最大
单位
传输特性
AC特性
开启时间
(3)
打开-O FF
时间
(3)
(4N32, 4N33)
(4N29, 4N30, 4N31)
带宽
(4,5)
测试条件
(I
F
= 200毫安，我
C
= 50 mA时， V
CC
= 10 V)
(Fig.7)
符号
t
on
t
关闭
BW
30
民
典型值
最大
5.0
100
40
千赫
µs
单位
隔离特性
特征
输入输出隔离电压
(6)
(4N29, 4N30, 4N31, 4N32, 4N33)
*(4N32)
*(4N33)
绝缘电阻
(6)
隔离电容
(6)
(V
我-O
=
(I
我-O
测试条件
1 μA ， Vrms的， T = 1分。 ）
VDC
VDC
(V
我-O
= 500 VDC）
， F = 1兆赫）
R
ISO
C
ISO
V
ISO
符号
民
5300
2500
1500
10
11
0.8
pf
典型值
最大
单位
VAC （ RMS）
V
4/25/00
200038B
QT [ QT OPTOELECTRONICS ]
