在Cs应连接，如图2.7 ，第9页。
这些电容的值并不重要，但4.7nF是
建议大多数情况下。它们应为10 ％的
X7R陶瓷。如果从X中的横向电容耦合到
Y是足够大的连拍电容上的电压会饱和，
摧毁增益。在这种情况下，脉冲串长度应
减少和/或Cs的值增加。参见2.4节。
如果不使用一个Y线及其相应的Cs的电容可以是
省略，并且引脚悬空。
图2.1风险投资 - 非线性期间爆裂
（突发过长，或Cs太小，或XY transcapacitance过大）
X驱动器
YNB
2.4采样电容饱和
在销YNB Cs的电压饱和示于图2.1
饱和开始发生时，在一个YNB引脚上的电压
变得比-0.25V更负的脉冲串的结束。
这种非线性是由于电压过高
积累于铯诱导传导在销保护
二极管。这严重饱和的信号会破坏关键的增益和
介绍了一种强烈的热膨胀系数可引起
“虚拟”的检测。这样做的原因是无论是从脉冲串
长度过长，则Cs的值过小，或
X -Y传输耦合过大。解决方案包括：
松动的键结构体的交错，多个分离
在PCB上的X和Y的行，从而增加Cs和
减小脉冲串长度。
增加铯会使一部分较慢;减少爆
长度会使其较不敏感。一个更好的PCB布局和
宽松的键结构体（在一定程度上）不会有负面影响。
CS的电压应该在与示波器观察
粘接到面板材料基质层;如果卢比方
在任何突发的任何铯坡道比-0.25伏更负
（不包括过冲尖峰它们是探测工件） ，
还有一个潜在的饱和问题。
图2.2示出了一个有缺陷的波形相似，为2.1 ，
但在这种情况下，失真是由于过度的杂散
电容耦合从Y线交流接地;为
例如，从运行太近和太远旁边一个
地线，接地平面，或其他痕迹。多余的
耦合引起的电荷转移作用消散一
所接收的电荷从一个钥匙插入显著部
杂散电容。这种现象是比较微妙;它可以是
通过BL提高到一个高数，看最好的检测
什么样的波形做，因为它向下降及以下
-0.25V 。波形将看似笔直的，但它
会慢慢开始变平甚至在-0.25V水平
抵达。
正确的波形如图2.3所示。需要注意的是
底迹的底边基本上是直
（忽略向下尖峰） 。
不像其他的QT电路，在QT60xx 0 Cs的电容值
器件在转换增益没有影响。然而，它们
影响转换时间。
未使用的Y布线应悬空。
图2.2风险投资 - 可怜的增益，非线性期间爆裂
（从Y线到GND过量电容）
X驱动器
YNB
图2.3风险投资 - 正确
X驱动器
YNB
图2.4 X -驱动脉冲滚降和停留时间
停留时间固定为〜 500ns的 - 见2.7节
X驱动器
失去电荷因
沉淀不足
停留时间结束前
停留时间
ÿ门
2.6信号电平
Quantum的QmBtn软件可以很容易观察
收到的每个键上的传感器信号的绝对电平。
信号值通常应在200〜的范围内
750计数通过设计合适的钥匙形状和值
卢比。然而，邻近长的X运行和Y线也
人为地提高信号值，从而诱发信号
饱和度;这是要避免的。在X -到-Y接头应
主要来自帧内键电极耦合，而不是从杂散
X -到-Y跟踪耦合。
2.5试样电阻器
有用于执行三个样品的电阻（ RS）的
单斜率ADC在每个收购充电转换
CS电容。这些电阻直接控制谋取利益;
较大卢比值将相应地增加信号增益。
对于大多数应用，卢比应该是1M
✡.
未使用的Y布线做
并不需要一个RS电阻。
lQ
4
QT60240 - ISG R8.06 / 0906
QUANTUM [ QUANTUM RESEARCH GROUP ]
