确定X线上的沉降时间的一种方式是监测
使用补丁的金属箔或小硬币在重点领域
（图2.5 ） 。沿着一个特定的X线只需一键需要
可以观察到，由于每个沿X线上的键将是
相同的。在500ns的停留时间不得超过所观察到的
在X -脉冲由25％或更多的95％的沉降。
在几乎所有情况下，RY应设置为等于接收，这将
确保在Y线中的电荷被完全捕捉到
CS电容。
接地层，如果使用的话，应置于或围绕
QT芯片本身和在相关联的电阻和电容
的电路中，下或周围的供电，并返回一个
连接器，但在其他地方。
2.9.2 LED痕迹等开关信号
数字开关信号附近在Y线会诱发瞬态
成所获得的信号，劣化信噪比性能比较
该装置。这种信号应远离，在Y
线，或设计应该是这样的，这些线是不
信号采集（脉冲串）的过程中切换。
被多路复用或者切换到一个LED端子
浮动状态的，哪些是在身体上还是非常接近
关键结构（即使在附近另一PCB ）应
绕过要么VSS或VDD与至少一个10nF电容
抑制电容耦合效应，可诱发
假信号的变化。旁路电容器并不需要是
旁边的LED ，实际上它可以是相当远的。旁路
电容器是不重要的，并且可以是任何类型的。
它们不断地连接到VSS或VDD LED终端
不需要进一步的旁路。
2.8主要设计
的各种材料的电路可以构造出
包括传统的FR- 4 ，柔性印刷电路板
（ FPCB ），银丝网印刷在PET塑料薄膜，甚至
廉价的冲压单面CEM- 1和FR -2。
实际的内部图案样式并不像一样重要
需要实现定期X和Y的宽度和间隔
足够的尺寸，以覆盖期望的图形键区或一
多一点; 〜3mm的尺寸过大的是在大多数情况下可以接受的，
由于关键的电场落靠近边缘而已。
总体密钥大小的范围可以从6mm x 6mm的最多
100毫米×100毫米，但这些都不是硬性限制。可以将钥匙
是任何形状，包括圆形，矩形，正方形等。
内部图案可以是相互交叉的，如图2.6 。
为小而密键区，电极，如示于
可以使用图2.6的下半部分。凡面板
薄（通常是手机有下2mm厚的板）
电极密度可以是相当高的。
为更好的表面水分抑制，外周
的X应尽可能宽，并且不应该有
地平面附近的键。变量“T”在该图
表示的所有材料，该键的总厚度
必须渗透。
2.9.3 PCB清洁度
所有电容传感器应被视为高度敏感
这可以通过杂散导电泄漏的影响的电路
路径。 QT器件在femtofarad基本解决
范围内;在这一地区，有没有这样的东西'不清洗助焊剂“ 。
磁通吸收水分并变成导通之间
焊点，导致信号漂移和由此产生的虚假
检测或敏感性或不稳定的短暂亏损。
保形涂料将捕获水分的存在量
这将进而成为对温度十分敏感。
设计者应指定超声波清洗的部分
制造过程中，和在情况下的一个较高的水平
湿度预计，以后使用保形涂料
清洁，防止有水分。
2.9 PCB布局，建设
2.9.1概述
最好是放置在芯片附近的相同的触摸按键
印刷电路板，以减少X和Y的迹线长度，从而降低了
机会的EMC问题。龙连接的痕迹行为
作为RF天线。在Y （接收）线是多
容易受到噪声拾取比X（驱动器）线。
甚至更重要的是，所有的信号相关的离散的部件
（电阻，电容）应该非常接近的体
该芯片。在芯片和各电阻之间的配线
和电容应尽可能短而直，尽量
抑制噪声。
2.10电源的注意事项
电源电压范围为+ 1.8V至+ 5V标称。该
设备可以承受±为5mV / s的短期电源
波动。如果电源波动缓慢
温度，该装置将跟踪和补偿这些
在感光度只有轻微的变化自动改变。
如果电源电压漂移或者快速移动，漂移
补偿机制将无法跟上，
引起灵敏度不正常或者检测错误。
因为这些设备使用电源本身作为一个模拟
参考，电源应该是很干净，来自
独立的监管机构。一个标准的廉价低压降
器（LDO）稳压器输入应当使用未还用于
功率其它负载，如发光二极管，继电器，或其它大电流
设备。在LDO的输出负载的变化会引起的Vdd
波动足以造成误检或灵敏度
变化。
注意事项：
一个稳压IC与其它逻辑会导致共享
运行不稳定，是
不
建议。
的调节器可之间在两个或更多的QT设备共享
一块电路板。一个这样的调节已知与QT间很好地工作
芯片是S -817系列精工仪器
（精工电子 - www.sii-ic.com ） 。
接地层和跟踪
不能
被周围的键和Y布线中使用
从密钥。接地区域，走线和
起作用的其他相邻信号线
作为AC地（例如，VDD和LED驱动器
线条等）将吸收所接收到的关键信号，
降低信号噪声比（SNR） ，从而将
适得其反。接地层左右键也将
使水膜效果差。
lQ
6
QT60240 - ISG R8.06 / 0906
QUANTUM [ QUANTUM RESEARCH GROUP ]
