初步
FM16W08
64Kb的宽电压字节宽度的F- RAM
特点
为64Kbit非易失性铁电RAM
•
组织为8192 ×8位
•
高耐用性100万亿美元（ 10
14
）读/写操作
•
38年的数据保存（
@
+75C)
•
无需等待的写入™
•
先进的高可靠性铁电工艺
优于BBSRAM模块
•
没有电池忧虑
•
整体可靠性
•
真正的表面安装解决方案，没有返工步骤
•
优越的防潮，防震，振动
•
抗负电压下冲
SRAM & EEPROM兼容
•
JEDEC 8Kx8 SRAM & EEPROM的引脚
•
70 ns访问时间
•
130 ns的周期时间
低功耗工作
•
宽电压工作在2.7V至5.5V
•
12毫安工作电流
•
20
µA
（ TYP。）待机电流
行业标准配置
•
工业级温度-40 ° C至+ 85°C
•
28引脚“绿色” / RoHS指令的SOIC封装
描述
该FM16W08是64千比特的非易失性存储器
采用先进的铁电工艺。一
铁电随机存取存储器或F -RAM是
非易失性，但操作在其他方面为RAM 。
它提供了数据保留38年，而
消除了可靠性问题，功能
缺点和系统设计的复杂性
电池供电的SRAM （ BBSRAM ） 。快写时序
和高读写次数进行F-RAM优于
其他类型的非易失性存储器。
在系统的FM16W08的操作非常相似
到其他RAM器件。最小的读和直写
周期时间相等。在F- RAM存储器，然而，
是非易失性的，由于其独特的强电介质存储器
流程。不像BBSRAM ，所述FM16W08是一个真正的
单片非易失性存储器。它提供了相同的
一个快速的写入没有功能性利益
与模块和电池相关的缺点
或者混合存储解决方案。
这些功能使得FM16W08理想
需要频繁的非易失性存储器应用
或快速写入一字节的环境。该
真正的表面贴装封装的可用性改进
新设计的可制造性。设备
规格保证在工业
温度范围-40C至+ 85C的。
引脚配置
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VDD
WE
NC
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
订购信息
FM16W08-SG
28引脚“绿色” SOIC
这是一个已经固定的目标规格，但受产品
改变正在申请鉴定的结果。
修订版1.2
2011年3月
Ramtron的国际公司
1850 Ramtron的驱动器，科罗拉多斯普林斯，CO 80921
（ 800 ） 545 - FRAM ， （ 719 ） 481-7000
http://www.ramtron.com
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