FM25V20 - 的2Mb SPI F-RAM
WRSR - 写状态寄存器
在WRSR命令允许用户选择
某些写保护功能，通过写一个字节
状态寄存器。在此之前发出WRSR
命令中，/ W引脚必须为高电平或不活动。先
S
C
在发送WRSR命令，用户必须发送
一个WREN命令使能写操作。注意
执行WRSR命令是一个写操作
因此，清除写使能锁存器。公交车
RDSR和WRSR的配置显示
下文。
D
Q
图7. RDSR总线配置
S
C
D
Q
图8. WRSR总线配置
状态寄存器&写保护
该FM25V20的写保护功能
多层次的。服用/ W引脚为逻辑低电平状态
硬件写保护功能。状态寄存器
写操作将被阻止时/ W为低。对
写有/ W的高，一个WREN操作码的记忆
必须先发出。假设使能写操作
使用WREN和/ W ，写入内存的
由状态寄存器控制。如上所述
上面写状态寄存器执行
使用WRSR命令和服从/ W引脚。
状态寄存器的结构如下。
表2.状态寄存器
位
名字
7
WPEN
6
1
5
0
4
0
3
BP1
2
BP0
1
WEL
0
0
注册对自己的状态没有影响。该位
内部设置，并通过WREN和WRDI清零
命令，分别。
BP1和BP0的内存块写保护位。
它们指定的内存进行写部分
保护成示于下表中。
表3块存储器写保护
BP1
BP0受保护的地址范围
0
0
无
0
1
30000H到3FFFFH （上¼ ）
1
0
20000H到3FFFFH （上＆ frac12 ; ）
1
1
00000H到3FFFFH （全部）
该BP1和BP0位和写使能锁存
的是防止所述存储器中的唯一机制
从写入。其余的写保护功能
保护无意中更改数据块保护位。
WPEN位控制硬件/ W的效果
引脚。当WPEN为低电平时， / W引脚被忽略。
当WPEN为高时， / W引脚控制写
访问状态寄存器。因此，状态寄存器
如果是写保护WPEN = 1和/ W = 0 。
该方案提供了一个写保护机制，
它可以防止软件写入内存
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位0 ，4，5是固定在第0和第6位被固定为1 ，并
这些位可以被修改。需要注意的是第0位
（ “就绪”，在串行闪存）是不必要的，因为在F-
RAM的写入实时，并且永远不会很忙，所以它
读出为“ 0”。有一个例外，当
该设备从睡眠模式，也就是醒来
在休眠模式部分中描述。该BP1和
BP0控制软件写保护功能。他们
是非易失性（黄色阴影部分） 。该WEL标志
表示写入的状态使能锁存器。
试图直接写在状态WEL位
修订版3.0
2012年8月
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