FM28V020_11 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FM28V020_11
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内容描述：	256Kbit字节宽度的F- RAM存储器 [256Kbit Bytewide F-RAM Memory]
分类和应用：	存储
文件页数/大小：	14 页 / 248 K
品牌：	RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]

FM28V020 - 32Kx8 F-RAM

概观

该FM28V020是一个单字节宽的F- RAM存储器

在逻辑上组织为32,768 ×8 ，并访问

采用业界标准的并行接口。所有数据

写入部被立即非易失性无

延时。该器件提供页面模式操作这

在提供更高的速度访问地址

页（行）。到不同的页面的访问被触发

通过切换芯片使能引脚或简单地通过改变

上部地址A （14 ：3）。

写。该FM28V020不会驱动数据总线

不管/ OE的状态，只要/ WE为低。

输入数据必须是有效的时，该设备是

取消选择的芯片使能。在/ WE控制

写的存储器周期开始时，该设备是

与芯片激活启用。在/ WE信号下降

一段时间后。因此，存储器周期开始

作为读出。数据总线将被驱动，如果/ OE为低，

但它会高阻次/ WE为低电平。该

/ CE-和/ WE控制的写时序案件

第9页上显示在

写周期时序2

图中，数据总线被示为一个Hi -Z状态

虽然是写使能芯片和前

所需的建立时间。虽然这被吸引到看

像一个中间电平电压，则建议所有

DQ引脚符合最小V

操作

的水平。

写访问阵列上开始的下降沿

/ WE之后被启动的存储器周期。写

访问结束对/ WE或/ CE中的无效，

以先到者为准。一次有效的写操作

要求用户在满足存取时间指定

要拉高前/ WE或/ CE 。数据建立时间

表示的时间间隔期间的数据不能

变更前的写访问结束。

不同于其他真正的非易失性存储器技术，

没有写延迟F-RAM 。由于读

写底层的内存访问时间

同样，用户遇到通过没有延迟

总线。整个存储器操作发生在一个单一的

总线周期。数据轮询，与所使用的技术

的EEPROM ，以确定是否写操作完成，是

不必要的。

页面模式操作

该FM28V020为用户提供了快速访问任何

行元素中的数据。每一行都有8

列的位置。访问可以从任何地方开始

一个行内，并且其它列的位置可以是

无需切换/ CE引脚访问。为

页面模式读取，一旦第一个数据字节被驱动

上车后，列地址输入A （ 2 ： 0 ）可

被改变到一个新的值。新的数据字节是那么

驱动到DQ管脚。对于页式写的

第一次写入脉冲定义第一个写访问。而

该设备被选中（ / CE低点），随后写

脉冲以及一个新的列地址提供

页面模式写访问。

预充电操作

预充电操作是在一个内部条件

该存储器的状态准备新的

访问。预充电是用户发起的由驱动至少

所述芯片的一个启动信号到非活动状态。该

第14页4

内存操作

用户访问32,768存储器单元与8个数据

位每经过一个并行接口。这架F -RAM

阵列是由8块，每块有512行。

每行有8列的位置，它允许快

存取在页模式操作。一旦初始

地址被锁存由/ CE的下降沿，

随后的列位置可以被访问

无需切换芯片使能。当

无论是芯片使能引脚被拉高，预充电

操作开始。写立即出现在最后

的无延迟的访问。在/ WE引脚必须

切换为每个写操作。

读操作

读操作开始/ CE的下降沿。

在/ CE发起的访问将导致地址为

锁存并启动存储器的读周期，如果/ WE为高电平。

数据访问之后，在总线上可用

时间已经满足了。一旦地址已

锁存和访问完成时，一个新的访问

随机位置（不同的行）可能会开始时/ CE

仍然是活动的。最小周期时间为随机

地址为t

。请注意，与静态存储器，所述

FM28V020的/ CE-启动存取时间比快

地址周期时间。

该FM28V020将仅当驱动数据总线

/ OE是低电平和内存访问时间

得到满足。如果/ OE在完成前断言

的存储器存取，数据总线将不被驱动

直到有效的数据是可用的。此功能最小化

提供电流的系统通过消除瞬态

致无效的数据被驱动到总线上。

当/ OE是无效的，数据总线将保持高阻抗。

写操作

写操作发生在FM28V020的同时

间隔读取。该FM28V020支持/ CE-

和/ WE控制的写周期。在这两种情况下，该

地址被锁存/ CE的下降沿。

在一个CE的控制的写入时，/ WE信号被置位

开始前的存储周期。即， / WE为

低时，该装置与芯片激活启用。

在这种情况下，器件开始的存储器周期作为

2.1版

2011年6月

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