FM28V020 - 32Kx8 F-RAM
SRAM的直接替代
该FM28V020已被设计为一个下拉
替代标准异步SRAM 。该
装置不需要/ CE来切换对每个新
地址。 / CE可以保持低下去，而V
DD
被施加。当/ CE为低电平时，器件自动
检测地址的变化和新的访问开始。它
也可以让页面模式操作速度高达
15MHz.
一个典型的应用示于图2，示出了
上/ CE上拉电阻将保持引脚为高电平
在电源周期假设MCU / MPU三针
在复位状态时的状态。上拉电阻
值的选择应确保在/ CE引脚轨道
V
DD
又一个足够高的值，当前的绘制
当/ CE为低是不是一个问题。
V
DD
FM28V020
R
CE
时/ WE为低是不是一个问题。一个规格为10Mohm电阻
绘制330uA时/ WE为低和V
DD
=3.3V.
V
DD
R
MCU /
MPU
CE
WE
OE
A(14:0)
DQ （ 7 ： 0 ）
FM28V020
图3.上/我们使用上拉电阻
该FM28V020是向后兼容
256Kbit FM18L08设备。操作FM28V020
与/ CE切换低点每个地址是完全
可以接受的。
MCU /
MPU
WE
OE
A(14:0)
DQ （ 7 ： 0 ）
PCB布局建议
一个0.1uF的去耦电容应放置在靠近
引脚28 （V
DD
）和电容器的接地侧
应连接至任一接地面或低
阻抗路径返回到引脚14 （V
SS
） 。最好是用
片状电容器具有低ESR和具有良好的高
频率特性。
如果控制器驱动地址和芯片使能
从相同的定时边沿，最好是保持
地址路由短长度相等和。一个简单的RC
电路可以在芯片被插入使路径
提供一些延迟和时序余量为
FM28V020的地址建立时间t
AS
.
作为一般规则，布局设计者可能需要
添加串联端接电阻控制器输出
具有快速转换和路由是> 15厘米
长度。如果边缘率不足，这是唯一的必要
于或等于往返行程跟踪延迟。信号
过冲和回铃可以是大到足以引起
飘忽不定的设备行为。最好是加50欧姆
电阻器（ 30 - 60欧姆）附近的输出驱动
（控制器） ，以减少这种传输线效应。
使用拉图2.典型应用
电阻上/ CE
对于需要最低功耗的应用
耗， / CE信号只应活性
在内存访问。由于外部上拉
电阻器，有的电源电流将被吸引而/ CE的
是低的。当/ CE为高电平时，设备将不再
比最大待机电流I
SB
.
请注意，如果/ CE引脚接地，则用户必须确保
/我们是不是低在通电或断电事件。如果
该芯片使能和/ WE为动力，在低
周期，会发生数据损坏。图3示出
在/ WE的上拉电阻将保持引脚为高电平
在电源周期假设MCU / MPU三针
在复位状态时的状态。上拉电阻
值的选择应确保在/ WE管脚轨道
V
DD
又一个足够高的值，当前的绘制
2.1版
2011年6月
第14页6
RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]
