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2SK1808 参数 Datasheet PDF下载

2SK1808图片预览
型号: 2SK1808
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内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 83 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SK1808
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
10
Reverse Drain Current I
DR
(A)
Pulse Test
8
6
4
2
5 V, 10 V
V
GS
= 0, –5 V
0.8
1.2
1.6
2.0
0
0.4
Source to Drain Voltage V
SD
(V)
Normalized Transient Thermal Impedance
γ
S
(t)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
3
D=1
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.03
0.01
0.01
10
µ
1 shot Pulse
100
µ
1m
10 m
100 m
1
10
θch
– c(t) =
γs(t) • θch
– c
θch
– c = 3.57°C / W. Tc = 25°C
P
DM
T
PW
PW
D= T
Tc = 25°C
Pulse Width PW (S)
Switching Time Test Circuit
Vin Monitor
Vout Monitor
D.U.T
R
L
50
V
DD
= 30 V
Vin
Vout
10%
Waveforms
90%
10%
90%
90%
t
d (off)
10%
Vin
10 V
t
d (on)
t
r
t
f
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 5 of 6