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    2SJ399 参数 Datasheet PDF下载

    2SJ399图片预览
    型号： 2SJ399
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅P沟道MOS场效应管 [Silicon P-Channel MOS FET]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 6 页 / 99 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SJ399的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SJ399的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SJ399的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SJ399的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SJ399的Datasheet PDF文件第6页  
    2SJ399
    主要特点
    P沟（ mW）的
    最大通道损耗曲线
    200
    –1
    最高安全工作区
    1毫秒
    I
    D
    (A)
    –0.3
    –0.1
    =
    s
    PW0米
    1
    150
    信道功率耗散
    漏电流
    C
    D
    100
    n
    TIO
    ra
    pe
    O
    –0.03
    –0.01
    50
    操作
    这个区域是
    限于由R
    DS （ ON）
    –0.003
    TA = 25℃
    0
    50
    100
    150
    的Ta （℃）
    200
    –0.001
    –0.1
    –0.3
    –1
    –3
    –10
    –30
    –100
    环境温度
    漏源极电压
    V
    DS
    (V)
    典型的输出特性
    –2.0
    脉冲测试
    –0.5
    典型的传输特性
    V
    DS
    = –10 V
    I
    D
    (A)
    –5 V
    –1.2
    I
    D
    漏电流
    (A)
    –1.6
    –0.4
    –4.5 V
    -0.3
    漏电流
    –4 V
    –0.8
    –3.5 V
    –3 V
    -0.2
    75 °C
    25 °C
    TA = -25°C
    –0.4
    –0.1
    –2.5 V
    V
    GS
    = –2 V
    0
    –2
    –4
    –6
    漏源极电压
    –10
    V
    DS
    (V)
    –8
    0
    –1
    –2
    –3
    栅极至源极电压
    –4
    V
    GS
    (V)
    –5
    漏极至源极饱和电压与
    栅极至源极电压
    –0.4
    漏极至源极导通电阻
    R
    DS （ ON）
    (
    Ω
    )
    –0.5
    漏极至源极饱和电压
    V
    DS （ ON）
    (V)
    静态漏极至源极通态电阻
    与漏电流
    100
    TA = 25℃
    50脉冲测试
    20
    10
    5
    V
    GS
    = –4 V
    2
    1
    –0.01 –0.02
    –0.05 –0.1 –0.2
    –0.5
    –1
    –0.3
    –0.2 A
    –0.2
    –0.1 A
    –0.1
    I
    D
    = –0.05 A
    –10 V
    0
    –4
    –8
    –12
    栅极至源极电压
    –16
    –20
    V
    GS
    (V)
    漏电流
    I
    D
    (A)
    Rev.2.00 ， Apr.05.2004 ， 5个3页

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