欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

2SJ399 参数 Datasheet PDF下载

2SJ399图片预览
型号: 2SJ399
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 硅P沟道MOS场效应管 [Silicon P-Channel MOS FET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 6 页 / 99 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
 浏览型号2SJ399的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SJ399的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SJ399的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SJ399的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SJ399的Datasheet PDF文件第6页  
2SJ399
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
5
I
D
= –0.2 A
–0.05 A
–0.1 A
V
GS
= –4 V
I
D
= –0.2 A
2
V
GS
= –10 V
–0.1 A
–0.05 A
正向转移导纳主场迎战
漏电流
正向转移导纳| Y
fs
| (S)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(
)
1
0.5
TA = -25°C
0.2
0.1
25 °C
75 °C
4
3
0.05
0.02
0.01
–0.01 –0.02
–0.05 –0.1 –0.2
–0.5
–1
1
0
–40
V
DS
= –10 V
脉冲测试
0
40
80
120
160
壳温度( ° C)
典型的电容比。
漏源极电压
漏电流I
D
(A)
开关特性
10000
5000
100
50
电容C (PF )
tf
吨D(关闭)
tr
吨D(上)
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0
–10
开关时间t( NS )
科斯
2000
1000
500
西塞
CRSS
–20
–30
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
–40
–50
200
100
V
GS
= –10 V
PW = 5微秒
–0.2
–0.5
–1
–2
漏电流I
D
(A)
–5
–0.1
漏极至源极电压V
DS
(V)
反向漏电流 -
源极到漏极电压
–0.5
反向漏电流I
DR
(A)
脉冲测试
–0.4
–10 V
–0.3
V
GS
= 0
–0.2
–5 V
–0.1
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
源极到漏极电压
V
SD
(V)
Rev.2.00 , Apr.05.2004 , 5第4页