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    2SK2554 参数 Datasheet PDF下载

    2SK2554图片预览
    型号： 2SK2554
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
    文件页数/大小： 8 页 / 89 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SK2554的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK2554的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK2554的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK2554的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK2554的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK2554的Datasheet PDF文件第7页浏览型号2SK2554的Datasheet PDF文件第8页  
    2SK2554
    主要特点
    功率与温度降额
    200
    500
    200
    10
    PW
    C
    D
    最高安全工作区
    10
    0
    µ
    s
    通道耗散P沟（W）的
    µ
    s
    漏电流I
    D
    (A)
    150
    100
    50
    20
    10
    5
    2
    1
    0.5 TA = 25℃
    0.1 0.3
    1
    操作
    这个区域是
    限于由R
    DS （ ON）
    =
    1
    10
    m
    s
    m
    (1
    s
    O
    ra
    pe
    100
    sh
    o
    t)
    n
    TIO
    (T
    c
    =
    °
    C
    25
    50
    )
    0
    50
    100
    150
    200
    3
    10
    30
    100
    案例温度T
    C
    (°C)
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    典型的输出特性
    100
    10 V 5 V
    4V
    3V
    脉冲测试
    60
    100
    典型的传输特性
    漏电流I
    D
    (A)
    漏电流I
    D
    (A)
    80
    80
    V
    DS
    = 10 V
    脉冲测试
    60
    40
    2.5 V
    40
    TC = 75℃
    20
    25°C
    –25°C
    20
    V
    GS
    = 2 V
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    漏极至源极饱和电压
    与门源电压
    0.5
    脉冲测试
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    静态漏源导通状态
    电阻与漏极电流
    0.5
    0.2
    0.1
    0.05
    0.02
    0.01
    0.005
    10 V
    0.002
    0.001
    1
    3
    10
    30
    100
    300
    1000
    V
    GS
    = 4 V
    脉冲测试
    漏极至源极饱和电压V
    DS （ ON）
    (V)
    0.4
    0.3
    I
    D
    = 50 A
    0.2
    20 A
    10 A
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    0.1
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    静态漏极至源极通态电阻
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    0.0005
    漏电流I
    D
    (A)
    Rev.6.00 2005年9月7日第3页7

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