2SK2554 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SK2554
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内容描述：	硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
文件页数/大小：	8 页 / 89 K
品牌：	RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]

2SK2554

反向漏电流 -

源极到漏极电压

200

重复性雪崩能量ê

（兆焦耳）

最大雪崩能量 -

通道温度降额

250

= 50 A

= 25 V

值班< 0.1 ％

RG > 50

Ω

反向漏电流I

(A)

160

10 V

120

= 0, –5 V

200

150

100

脉冲测试

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

100

125

150

源极到漏极电压

(V)

沟道温度Tch （ ° C）

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

归瞬态热阻抗

秒（ t）的

TC = 25°C

D=1

0.5

0.3

0.2

0.1

0.05

θch

- C （T ） =

γs

(t) •

θch

– c

θh

- C = 0.83 ° C / W ，TC = 25°C

10 m

100 m

0.03

0.02

LSE

0.0

吨PU

100

0.01

脉冲宽度

PW （S ）

雪崩测试电路和波形

DSS

•L •I

AP2

•

DSS

– V

MONITOR

（ BR ） DSS

VIN

15 V

D. U.牛逼

Ω

Rev.6.00 2005年9月7日第5 7

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