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    2SK3163 参数 Datasheet PDF下载

    2SK3163图片预览
    型号： 2SK3163
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching]
    分类和应用： 开关电源开关
    文件页数/大小： 8 页 / 88 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SK3163的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK3163的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK3163的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK3163的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK3163的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK3163的Datasheet PDF文件第7页浏览型号2SK3163的Datasheet PDF文件第8页  
    2SK3163
    绝对最大额定值
    （ TA = 25°C ）
    项
    漏源极电压
    栅极至源极电压
    漏电流
    漏电流峰值
    体漏二极管的反向漏电流
    雪崩电流
    雪崩能量
    散热通道
    通道温度
    储存温度
    注意事项： 1， PW
    ≤
    10
    µs,
    占空比
    ≤
    1%
    2.价值在Tc = 25
    °
    C
    3.价值在总胆固醇= 25
    °
    C， RG
    ≥
    50
    Ω
    符号
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    I
    D（脉冲）注1
    I
    DR
    I
    AP注3
    E
    AR注3
    PCH
    注2
    总胆固醇
    TSTG
    评级
    60
    ±20
    75
    300
    75
    50
    214
    110
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    A
    A
    A
    A
    mJ
    W
    °
    C
    °
    C
    电气特性
    （ TA = 25°C ）
    项
    漏源击穿电压
    门源漏电流
    零栅极电压漏极电流
    门源截止电压
    静态漏源导通状态
    阻力
    正向转移导纳
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    总栅极电荷
    门源费
    栅漏电荷
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    体漏二极管的正向电压
    体漏二极管反向恢复
    时间
    注意：
    1.脉冲测试
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    I
    GSS
    I
    DSS
    V
    GS （ OFF ）
    R
    DS （ ON）
    |y
    fs
    |
    西塞
    科斯
    CRSS
    Qg
    QGS
    QGD
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    V
    DF
    t
    rr
    民
    60
    —
    —
    1.0
    —
    —
    50
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    典型值
    —
    —
    —
    —
    6.0
    8.0
    80
    7100
    1000
    280
    125
    25
    25
    60
    300
    520
    330
    1.05
    90
    最大
    —
    ±0.1
    10
    2.5
    7.5
    12
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    单位
    V
    µA
    µA
    V
    mΩ
    mΩ
    S
    pF
    pF
    pF
    nC
    nC
    nC
    ns
    ns
    ns
    ns
    V
    ns
    测试条件
    I
    D
    = 10 mA时， V
    GS
    = 0
    V
    GS
    =
    ±20
    V, V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = 60 V, V
    GS
    = 0
    I
    D
    = 1毫安， V
    DS
    = 10 V
    注1
    I
    D
    = 40 A，V
    GS
    = 10 V
    注1
    I
    D
    = 40 A，V
    GS
    = 4 V
    注1
    I
    D
    = 40 A，V
    DS
    = 10 V
    注1
    V
    DS
    = 10 V, V
    GS
    = 0,
    F = 1 MHz的
    V
    DD
    = 25 V, V
    GS
    = 10 V,
    I
    D
    = 75 A
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 40 A,
    R
    L
    = 0.75
    Ω
    I
    F
    = 75 A，V
    GS
    = 0
    I
    F
    = 75 A，V
    GS
    = 0
    di
    F
    / DT = 50 A /
    µs
    Rev.3.00 2005年9月7日第2 7

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