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2SK3163 参数 Datasheet PDF下载

2SK3163图片预览
型号: 2SK3163
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内容描述: 硅N沟道MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching]
分类和应用: 开关电源开关
文件页数/大小: 8 页 / 88 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SK3163
静态漏源导通状态
电阻与温度
正向转移导纳
y
fs
(S)
20
脉冲测试
16
I
D
= 50 A
10 A
4V
10, 20, 50 A
V
GS
= 10 V
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(mΩ)
正向转移导纳
与漏电流
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.1
0.3
1
3
10
30
100
25°C
75°C
TC = -25°C
V
DS
= 10 V
脉冲测试
20 A
12
8
4
0
–50
0
50
100
150
200
案例温度T
C
(°C)
体漏二极管反向
恢复时间
1000
30000
漏电流I
D
(A)
典型电容
与漏极至源极电压
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
反向恢复时间trr ( NS )
500
200
100
50
20
10
0.1
的di / dt = 50A /
µs
V
GS
= 0 , TA = 25℃
0.3
1
3
10
30
100
电容C (PF )
10000
西塞
3000
1000
科斯
300
100
0
CRSS
10
20
30
40
50
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
I
D
= 75 A
V
GE
V
CC
= 50 V
25 V
10 V
开关特性
栅极至源极电压V
GS
(V)
20
1000
TD (关闭)
100
80
16
开关时间t( NS )
500
tf
tr
TD (上)
200
100
50
20
60
12
40
8
20
V
CC
= 50 V
25 V
10 V
80
160
240
4
V
CE
320
0
400
0
10
0.1 0.2 0.5 1
V
GS
= 10 V,
V
DD
= 30 V
PW = 5
µs,
值班< 1 %
2
5 10 20
50 100
栅极电荷Qg ( NC )
漏电流I
D
(A)
Rev.3.00 2005年9月7日第4 7