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RF6100-4PCBA-41X 参数 Datasheet PDF下载

RF6100-4PCBA-41X图片预览
型号: RF6100-4PCBA-41X
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内容描述: 3V 1900MHz的线性功率放大器模块 [3V 1900MHZ LINEAR POWER AMPLIFIER MODULE]
分类和应用: 放大器功率放大器
文件页数/大小: 8 页 / 167 K
品牌: RFMD [ RF MICRO DEVICES ]
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RF6100-4
3V 1900MHZ线性功率放大器
模块
符合RoHS &无铅产品
封装形式:模块( 4mmx4mm )
特点
输入/输出内部
Matched@50Ω
28.5dBm线性输出
动力
39 %的峰值效率线
28分贝线性增益
-48dBc ACPR @ 1.25MHz的
VCC1 1
RF IN 2
GND 3
VMOD
4
E
VREG 5
BIAS
10 VCC2
9 GND
8 RF OUT
7 GND
6 GND
应用
3V CDMA美国PCS手机
3V CDMA2000 / 1XRTT US-
PCS手机
3V CDMA2000 / 1X -EV -DO US-
PCS手机
扩频系统
功能框图
产品说明
该RF6100-4是一种高功率,高效率线性功率放大器模块专
专为3V手持系统。该设备采用先进的制造
第三代的GaAs HBT工艺制造,并且被设计用作最后的射频扩增
费里在3V IS- 95 / CDMA 2000 1X的手持式数字蜂窝设备,扩展光谱
特鲁姆系统,并在1850MHz到1910MHz频带的其他应用程序。该
RF6100-4具有数字控制线为低功耗应用,以降低静态
电流。该装置自包含与50Ω的输入和输出是匹配
获得最佳的功率,效率和线性度。该模块是一个4mmx4mm土地
栅格阵列与背面地面。该RF6100-4与行业兼容的足迹
标准4mmx4mm的CDMA模块,并且只需要一个去耦电容器。
订购信息
RF6100-4
3V 1900MHz的线性功率放大器模块
RF6100-4PCBA - 41X完全组装的评估板
最佳技术Matching®应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
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标志着由Bluetooth SIG公司,美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称,商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 © 2006年, RF Micro Devices公司
冯A1 DS050929
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
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