RU602B 参数 Datasheet PDF下载

型号：	RU602B
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内容描述：	P沟道先进的功率MOSFET [P-Channel Advanced Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 253 K
品牌：	RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]

RU602B

Typical Characteristics

Power Dissipation

Drain Current

- Junction Temperature (°C)

- Drain Current (A)

- Junction Temperature (°C)

tot

- Power (W)

Safe Operation Area

Thermal Transient Impedance

- Drain-Source Voltage (V)

Rev. A– DEC., 2011

Normalized Effective Transient

Square Wave Pulse Duration (sec)

www.ruichips.com

- Drain Current (A)

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