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RU1H100S 参数 Datasheet PDF下载

RU1H100S图片预览
型号: RU1H100S
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内容描述: N沟道先进的功率MOSFET [N-Channel Advanced Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 449 K
品牌: RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
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RU1H100
典型特征
漏源导通电阻
源极 - 漏极二极管的正向
归一化导通电阻
T
j
- 结温( ° C)
I
S
- 源电流( A)
V
SD
- 源极 - 漏极电压( V)
电容
栅极电荷
V
DS
- 漏源电压( V)
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
Ç - 电容(pF )
Q
G
- 栅极电荷( NC)
Copyright Ruichips半导体有限公司
版本A -sep ,2010
5
www.ruichips.com