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RU1HP40R 参数 Datasheet PDF下载

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型号: RU1HP40R
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内容描述: P沟道先进的功率MOSFET [P-Channel Advanced Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 303 K
品牌: RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
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RU1HP40R
电气特性
符号
静态特性
BV
DSS
I
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
R
DS ( ON)
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
RU1HP40R
分钟。
典型值。
马克斯。
参数
测试条件
单位
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
= 0V时,我
DS
=-250µA
V
DS
= -100V, V
GS
=0V
T
J
=85°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=-250µA
V
GS
=±25V, V
DS
=0V
V
GS
= -10V ,我
DS
=-40A
-100
-1
-30
-2
-3
-4
±100
25
40
V
µA
V
nA
mΩ
二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= -40A ,V
GS
=0V
I
SD
= -40A , DL
SD
/dt=100A/µs
180
450
-1.2
V
ns
nC
pF
动态特性
R
G
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
GS
=0V,V
DS
=0V,F=1MHz
V
GS
=0V,
V
DS
= -50V,
Frequency=1.0MHz
1.8
3500
370
130
23
36
131
98
V
DD
= -50V ,R
L
=1.3Ω,
I
DS
= -40A ,V
=-10V,
R
G
=6Ω
ns
栅极电荷特性
Q
g
Q
gs
Q
gd
注意事项:
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
=-80V, V
GS
= -10V,
I
DS
=-40A
146
25
45
190
nC
脉冲宽度有限的安全工作区。
基于最大允许结温计算的连续电流。
?有限公司
经t
JMAX
, I
AS
= 35A ,V
DD
= -48V ,R
G
= 50Ω ,起始物为
J
= 25°C.
*脉冲
试验;脉冲width≤300μs ,值班cycle≤2 % 。
⑤Guaranteed
按照设计,不受生产测试。
Copyright Ruichips半导体有限公司
启D-十一月, 2011
2
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