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RU30L15H 参数 Datasheet PDF下载

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型号: RU30L15H
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内容描述: P沟道先进的功率MOSFET [P-Channel Advanced Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 298 K
品牌: RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
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RU30L15H
电气特性
符号
静态特性
BV
DSS
I
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
R
DS ( ON)
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
RU30L15H
分钟。
典型值。
马克斯。
参数
测试条件
单位
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
= 0V时,我
DS
=-250µA
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
T
J
=85°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=-250µA
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
V
GS
= -10V ,我
DS
=-14A
V
GS
= -4.5V ,我
DS
=-10A
-30
-1
-30
-1
-1.8
-2.5
±10
13
22
15
28
V
µA
V
µA
mΩ
mΩ
二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= -1A ,V
GS
=0V
I
SD
= -14A , DL
SD
/dt=100A/µs
30
24
V
GS
=0V,V
DS
=0V,F=1MHz
V
GS
=0V,
V
DS
=-15V,
Frequency=1.0MHz
1.5
2300
250
160
12
V
DD
= -15V ,R
L
=30Ω,
I
DS
= -14A ,V
=-10V,
R
G
=6Ω
20
38
18
-1
V
ns
nC
pF
动态特性
R
G
栅极电阻
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
ns
栅极电荷特性
Q
g
Q
gs
Q
gd
注意事项:
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
=-24V, V
GS
=-10V,
I
DS
=-14A
39
8
12
50
nC
脉冲宽度有限的安全工作区。
•当
安装在1平方英寸的铜电路板,T
≤10sec.
在任何给定应用程序中的值取决于
用户的特定电路板设计。
*脉冲
试验;脉冲width≤300μs ,值班cycle≤2 % 。
⑤Guaranteed
按照设计,不受生产测试。
Copyright Ruichips半导体有限公司
启B-四月2011
2
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