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    RU80N15Q 参数 Datasheet PDF下载

    RU80N15Q图片预览
    型号： RU80N15Q
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道先进的功率MOSFET [N-Channel Advanced Power MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 11 页 / 495 K
    品牌： RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
     浏览型号RU80N15Q的Datasheet PDF文件第1页浏览型号RU80N15Q的Datasheet PDF文件第3页浏览型号RU80N15Q的Datasheet PDF文件第4页浏览型号RU80N15Q的Datasheet PDF文件第5页浏览型号RU80N15Q的Datasheet PDF文件第6页浏览型号RU80N15Q的Datasheet PDF文件第7页浏览型号RU80N15Q的Datasheet PDF文件第8页浏览型号RU80N15Q的Datasheet PDF文件第9页  
    RU80N15
    电气特性
    符号
    静态特性
    BV
    DSS
    I
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    R
    DS （ ON）
    ③
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    RU80N15
    参数
    测试条件
    分钟。
    典型值。
    马克斯。
    单位
    漏源击穿电压
    零栅极电压漏极电流
    栅极阈值电压
    栅极漏电流
    漏源导通电阻
    V
    GS
    = 0V时，我
    DS
    =250µA
    V
    DS
    = 150V, V
    GS
    =0V
    T
    J
    =85°C
    V
    DS
    =V
    GS
    , I
    DS
    =250µA
    V
    GS
    =±25V, V
    DS
    =0V
    V
    GS
    = 10V ，我
    DS
    =40A
    150
    1
    30
    2
    3
    4
    ±100
    31
    33
    V
    µA
    V
    nA
    mΩ
    二极管的特性
    V
    SD
    t
    rr
    q
    rr
    ③
    二极管的正向电压
    反向恢复时间
    I
    SD
    = 40 A，V
    GS
    =0V
    I
    SD
    = 40A ， DL
    SD
    /dt=100A/µs
    0.8
    68
    130
    1.3
    V
    ns
    nC
    反向恢复电荷
    ④
    动态特性
    R
    G
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    栅极电阻
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    导通延迟时间
    开启上升时间
    打开-O FF延迟时间
    关断下降时间
    ④
    V
    GS
    =0V,V
    DS
    =0V,F=1MHz
    V
    GS
    =0V,
    V
    DS
    = 30V,
    Frequency=1.0MHz
    1.0
    3800
    550
    250
    18
    30
    50
    Ω
    pF
    V
    DD
    = 35V ，R
    L
    =35Ω,
    I
    DS
    = 1A ，V
    根
    = 10V,
    R
    G
    =10Ω
    32
    80
    56
    ns
    150
    120
    栅极电荷特性
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    注意事项：
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    *脉冲
    宽度由安全工作区的限制。
    - 电流
    受包（限制电流为75A ）
    *脉冲
    试验;脉冲width≤300
    µ
    S，值班cycle≤2 ％ 。
    ⑤Guaranteed
    按照设计，不受生产测试。
    90
    V
    DS
    =30V, V
    GS
    = 10V,
    I
    DS
    =40A
    25
    30
    220
    nC
    Copyright Ruichips半导体有限公司
    版本C - 一月， 2010
    2
    www.ruichips.com

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