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K4H510838C-UCCC 参数 Datasheet PDF下载

K4H510838C-UCCC图片预览
型号: K4H510838C-UCCC
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内容描述: 512MB C-死DDR SDRAM规格 [512Mb C-die DDR SDRAM Specification]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 24 页 / 366 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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DDR SDRAM 512Mb C-die (x4, x8, x16)
4.0 Pin Description
DDR SDRAM
32Mb x 16
64Mb x 8
128Mb x 4
V
DD
DQ
0
V
DDQ
DQ
1
DQ
2
V
SSQ
DQ
3
DQ
4
V
DDQ
DQ
5
DQ
6
V
SSQ
DQ
7
NC
V
DDQ
LDQS
NC
V
DD
NC
LDM
WE
CAS
RAS
CS
NC
BA
0
BA
1
AP/A
10
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0
A
1
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0
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SSQ
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
V
DD
NC
NC
WE
CAS
RAS
CS
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0
BA
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10
A
0
A
1
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DD
V
DD
NC
V
DDQ
NC
DQ
0
V
SSQ
NC
NC
V
DDQ
NC
DQ
1
V
SSQ
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
V
DD
NC
NC
WE
CAS
RAS
CS
NC
BA
0
BA
1
AP/A
10
A
0
A
1
A
2
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3
V
DD
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59
58
V
SS
NC
V
SSQ
NC
DQ
3
V
DDQ
NC
NC
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SSQ
NC
DQ
2
V
DDQ
NC
NC
V
SSQ
DQS
NC
V
REF
V
SS
DM
CK
CK
CKE
NC
A
12
A
11
A
9
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8
A
7
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6
A
5
A
4
V
SS
V
SS
DQ
7
V
SSQ
NC
DQ
6
V
DDQ
NC
DQ
5
V
SSQ
NC
DQ
4
V
DDQ
NC
NC
V
SSQ
DQS
NC
V
REF
V
SS
DM
CK
CK
CKE
NC
A
12
A
11
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
V
SS
DQ
15
V
SSQ
DQ
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V
DDQ
DQ
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DQ
11
V
SSQ
DQ
10
DQ
9
V
DDQ
DQ
8
NC
V
SSQ
UDQS
NC
V
REF
V
SS
UDM
CK
CK
CKE
NC
A
12
A
11
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
66Pin TSOPII
(400mil x 875mil)
(0.65mm Pin Pitch)
Bank Address
BA0~BA1
Auto Precharge
A10
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
512Mb TSOP-II Package Pinout
Organization
128Mx4
64Mx8
32Mx16
Row Address
A0~A12
A0~A12
A0~A12
Column Address
A0-A9, A11, A12
A0-A9, A11
A0-A9
DM is internally loaded to match DQ and DQS identically.
Row & Column address configuration
Rev. 1.1 June. 2005