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    K6T2008V2A-YF70 参数 Datasheet PDF下载

    K6T2008V2A-YF70图片预览
    型号： K6T2008V2A-YF70
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256Kx8位低功耗和低电压CMOS静态RAM [256Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 10 页 / 194 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号K6T2008V2A-YF70的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K6T2008V2A-YF70的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K6T2008V2A-YF70的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K6T2008V2A-YF70的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K6T2008V2A-YF70的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K6T2008V2A-YF70的Datasheet PDF文件第8页浏览型号K6T2008V2A-YF70的Datasheet PDF文件第9页浏览型号K6T2008V2A-YF70的Datasheet PDF文件第10页  
    K6T2008V2A, K6T2008U2A Family
    TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1)
    (WE Controlled)
    CMOS SRAM
    t
    WC
    Address
    t
    CW(2)
    CS
    1
    t
    AW
    CS
    2
    t
    CW(2)
    t
    WP(1)
    WE
    t
    AS(3)
    Data in
    t
    WHZ
    Data out
    Data Undefined
    t
    DW
    Data Valid
    t
    OW
    t
    DH
    t
    WR(4)
    TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2)
    (CS
    1
    Controlled)
    t
    WC
    Address
    t
    AS(3)
    CS
    1
    t
    AW
    CS
    2
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    WP(1)
    WE
    t
    DW
    Data in
    Data Valid
    t
    DH
    t
    CW(2)
    t
    WR(4)
    Data out
    High-Z
    High-Z
    Revision 2.01
    October 2001

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