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    K4D26323RA-GC33 参数 Datasheet PDF下载

    K4D26323RA-GC33图片预览
    型号： K4D26323RA-GC33
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 1M X 32位×4银行双数据速率同步RAM与双向数据选通和DLL [1M x 32Bit x 4 Banks Double Data Rate Synchronous RAM with Bi-directional Data Strobe and DLL]
    分类和应用： 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
    文件页数/大小： 18 页 / 304 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号K4D26323RA-GC33的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K4D26323RA-GC33的Datasheet PDF文件第7页浏览型号K4D26323RA-GC33的Datasheet PDF文件第8页浏览型号K4D26323RA-GC33的Datasheet PDF文件第9页浏览型号K4D26323RA-GC33的Datasheet PDF文件第11页浏览型号K4D26323RA-GC33的Datasheet PDF文件第12页浏览型号K4D26323RA-GC33的Datasheet PDF文件第13页浏览型号K4D26323RA-GC33的Datasheet PDF文件第14页  
    * VDD / VDDQ = 2.8V *
    K4D26323RA-GC
    扩展模式寄存器设置（ EMRS ）
    128M DDR SDRAM
    扩展模式寄存器的存储数据，用于启用或禁用的DLL ，并选择输出驱动
    强度。扩展模式寄存器的缺省值没有被定义，因此，用推广模式寄存器
    必须上电后启用或禁用的DLL被写入。扩展模式寄存器写的是assert-
    荷兰国际集团低点CS ， RAS ， CAS，WE和高的BA0 （的DDR SDRAM应在所有银行预充电与CKE
    已经很高写入扩展模式寄存器）之前。地址引脚的状态A0 ， A2 〜 A5 ， A7 〜 A11
    和BA1在同一周期为CS， RAS ， CAS和WE变为低电平都写在扩展模式寄存器。 A1
    和A6用于驱动强度设置为正常，弱或匹配阻抗。两个时钟周期是
    以完成在扩展模式寄存器的写操作所需的。的模式寄存器的内容可以是
    利用工作期间相同的命令和时钟周期的要求，只要所有银行都在改变
    空闲状态。 A0是用于DLL使能或禁用。 "High"上BA0用于EMRS 。所有其它地址
    除了A0 ， A1 ， A6和BA0引脚必须设置为低电平正确EMRS操作。请参阅下表为具体
    码。
    BA
    1
    俄罗斯足协
    BA
    0
    1
    A
    11
    A
    10
    A
    9
    俄罗斯足协
    A
    8
    A
    7
    A
    6
    D.I.C
    A
    5
    A
    4
    俄罗斯足协
    A
    3
    A
    2
    A
    1
    D.I.C
    A
    0
    DLL
    地址总线
    EXTENDED
    模式寄存器
    BA
    0
    0
    1
    A
    n
    ~ A
    0
    太太
    EMRS
    A
    6
    0
    0
    1
    1
    A
    1
    0
    1
    0
    1
    输出驱动器阻抗控制
    不适用
    弱
    不适用
    不适用
    不要使用
    60%
    不要使用
    不要使用
    A
    0
    0
    1
    DLL使能
    启用
    关闭
    * 1 ：保留（保留以备将来使用）应该留"0"期间EMRS周期。
    图7.扩展模式寄存器集
    - 10 -
    2.0版本（ 2003年1月）

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