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    K4H561638D-TCB0 参数 Datasheet PDF下载

    K4H561638D-TCB0图片预览
    型号： K4H561638D-TCB0
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 128MB DDR SDRAM [128Mb DDR SDRAM]
    分类和应用： 动态存储器双倍数据速率
    文件页数/大小： 53 页 / 669 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号K4H561638D-TCB0的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K4H561638D-TCB0的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K4H561638D-TCB0的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K4H561638D-TCB0的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K4H561638D-TCB0的Datasheet PDF文件第7页浏览型号K4H561638D-TCB0的Datasheet PDF文件第8页浏览型号K4H561638D-TCB0的Datasheet PDF文件第9页浏览型号K4H561638D-TCB0的Datasheet PDF文件第10页  
    128MB DDR SDRAM
    表格清单
    表1 ：工作频率和DLL抖动
    表2 ：列地址configurtion
    表3 ：输入/输出功能描述
    表4 ：突发地址排序的突发长度
    表5 ：银行选择了预充电银行地址位
    表6 ：工作描述时，新的命令，而断言
    读发出自动预充电
    表7 ：工作描述时，新的命令，而断言
    与发出自动预充电写
    表8 ：命令真值表
    表9-1 ：功能真值表
    表9-2 ：功能真值表（ contiued ）
    表9-3 ：功能真值表（ contiued ）
    表9-4 ：功能真值表（ contiued ）
    表9-5 ：功能真值表（ cotinued ）
    表10 ：绝对最大raings
    表11：直流工作condtion
    表12 ： DC规格
    表13 ：交流操作条件
    表14 ：AC定时参数和规格
    表15 ： AC运行试验条件
    表16 ：输入/输出电容
    表17 ：拉和下拉电流值
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    REV 。 1.0月。 2. 2000

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