K4H561638D-TCB0 参数 Datasheet PDF下载

型号：	K4H561638D-TCB0
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内容描述：	128MB DDR SDRAM [128Mb DDR SDRAM]
分类和应用：	动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小：	53 页 / 669 K
品牌：	SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]

128MB DDR SDRAM

1.主要特点

1.1特性

•

双倍数据速率体系结构;每个时钟周期2的数据传输

•双向数据选通（ DQS ）

•四家银行的操作

•差分时钟输入（ CK和CK ）

• DLL对齐DQ和DQS与CK过渡转型

• MRS循环地址重点项目

- 。读取延迟2 ， 2.5 （时钟）

- 。突发长度（ 2，4， 8）

- 。突发类型（顺序&交错）

•除数据& DM所有输入进行采样，系统时钟的正边沿（CK）

•数据I /数据选通信号的两边O事务

•边沿对齐的数据输出，居中对齐数据输入

• LDM ， UDM / DM只写屏蔽

•自动&自我刷新

• 15.6us刷新间隔（ 4K / 64ms的刷新）

•最大连拍数量刷新周期： 8

• 66pin TSOP II封装

1.2工作频率

- A2 （ DDR266A ）

速度@ CL2

速度@ CL2.5

DLL抖动

133MHz@CL2

±0.75ns

- B0 （ DDR266B ）

100MHz

133MHz

±0.75ns

- A0 （ DDR200 ）

100MHz

±0.8ns

* CL ： CAS延迟

表1.工作频率和DLL抖动

- 9 -

REV 。 1.0月。 2. 2000

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