K4S281632C-TL1L 参数 Datasheet PDF下载

型号：	K4S281632C-TL1L
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内容描述：	的128Mbit SDRAM 2米x 16Bit的×4银行同步DRAM LVTTL [128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL]
分类和应用：	存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
文件页数/大小：	11 页 / 116 K
品牌：	SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]

K4S281632C

DC特性

（推荐的工作条件，除非另有说明，T

= 0 〜70℃ ）

参数

符号

突发长度= 1

≥

（分钟）

= 0毫安

CKE

≤

（最大值），叔

= 10ns的

测试条件

-75

工作电流

（一银行活动）

预充电待机电流在

掉电模式

CC1

CC2

150

CMOS SDRAM

VERSION

-1H

140

-1L

140

单位注

CC2

PS CKE & CLK

≤

（最大值），叔

∞

CC2

CKE

≥

（分钟）， CS

≥

（分钟），T

= 10ns的

输入信号时为20ns一次改变

预充电待机电流在

非掉电模式

CKE

≥

（分钟）， CLK

≤

（最大值），叔

∞

CC2

输入信号是稳定的

CC3

CKE

≤

（最大值），叔

= 10ns的

在活动待机电流

掉电模式

CC3

PS CKE & CLK

≤

（最大值），叔

∞

CC3

CKE

≥

（分钟）， CS

≥

（分钟），T

= 10ns的

输入信号时为20ns一次改变

CKE

≥

（分钟）， CLK

≤

（最大值），叔

∞

输入信号是稳定的

= 0毫安

第一阵

4Banks激活

CCD

= 2CLKs

≥

（分钟）

CKE

≤

0.2V

在活动待机电流

非掉电模式

（一银行活动）

工作电流

（突发模式）

刷新当前

自刷新电流

CC4

180

145

CC5

CC6

220

210

1.5

800

210

注意事项：

1.测量与产出开放。

2.刷新周期是64毫秒。

3. K4S281632C -TC **

4. K4S281632C -TL **

5.除非另有说明，输入摆动IeveI是CMOS （Ⅴ

DDQ

SSQ ）

修订版0.0 2000年3月

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