K4S281632C
IBIS规格
I
OH
Cha.racteristics （拉）
电压
(V)
3.45
3.3
3.0
2.6
2.4
2.0
1.8
1.65
1.5
1.4
1.0
0.0
100MHz
133MHz
民
我（毫安）
100MHz
133MHz
最大
我（毫安）
-2.4
-27.3
-74.1
-129.2
-153.3
-197.0
-226.2
-248.0
-269.7
-284.3
-344.5
-502.4
66MHz
民
我（毫安）
-200
-0.7
-7.5
-13.3
-27.5
-35.5
-41.1
-47.9
-52.4
-72.5
-93.0
mA
-300
-400
-500
-600
电压
0
0
-100
0.5
1
1.5
2
CMOS SDRAM
为66MHz到100MHz / 133MHz的拉
2.5
3
3.5
0.0
-21.1
-34.1
-58.7
-67.3
-73.0
-77.9
-80.8
-88.6
-93.0
I
OH
敏（ 100MHz的/ 133MHz的）
I
OH
敏（ 66MHz的）
I
OH
马克斯（ 66到100MHz / 133MHz的）
为66MHz到100MHz / 133MHz的下拉
I
OL
特性（下拉）
电压
(V)
0.0
0.4
0.65
0.85
1.0
1.4
1.5
1.65
1.8
1.95
3.0
3.45
100MHz
133MHz
民
我（毫安）
0.0
27.5
41.8
51.6
58.0
70.7
72.9
75.4
77.0
77.6
80.3
81.4
100MHz
133MHz
最大
我（毫安）
0.0
70.2
107.5
133.8
151.2
187.7
194.4
202.5
208.6
212.0
219.6
222.6
66MHz
民
我（毫安）
0.0
17.7
26.9
33.3
37.6
46.6
48.0
49.5
50.7
51.5
54.2
54.9
250
200
150
mA
100
50
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
电压
I
OL
敏（ 100MHz的/ 133MHz的）
I
OL
敏（ 66MHz的）
I
OL
最大（为100MHz / 133MHz的）
修订版0.0 2000年3月
SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
