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K4S643232H-TC70 参数 Datasheet PDF下载

K4S643232H-TC70图片预览

型号：	K4S643232H-TC70
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	64MB H-模具（ X32 ） SDRAM规格 [64Mb H-die (x32) SDRAM Specification]
分类和应用：	动态存储器
文件页数/大小：	12 页 / 120 K
品牌：	SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]

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SDRAM 64Mb的H-模具（ X32 ）

512K X 32位×4银行SDRAM

特点

• JEDEC标准的3.3V电源

• LVTTL与复用地址兼容

•四家银行的操作

• MRS循环地址重点项目

- 。 CAS延迟时间（ 2 & 3 ）

- 。突发长度（1， 2，4， 8 &全页）

- 。突发类型（顺序&交错）

•所有输入进行采样，系统时钟的正边沿。

•突发读取单个位的写操作

• DQM用于屏蔽

•自动&自我刷新

• 64ms的刷新周期（ 4K周期）

CMOS SDRAM

概述

该K4S643232H为67,108,864比特同步高数据速率动态随机存储器组织成4× 524,288字由32位制作

与三星的高性能CMOS技术。同步设计允许使用系统时钟的精确周期控制。

I / O事务处理可在每个时钟周期。工作频率，可编程突发长度和可编程范围

延迟允许在同一设备来对各种高带宽，高性能存储系统的应用是有用的。

订购信息

产品型号

K4S643232H-TC/L70

K4S643232H-TC/L60

K4S643232H-TC/L55

K4S643232H-TC/L50

2MB ×32

Orgainization

最大频率。

143MHz(CL=3)

166MHz(CL=3)

183MHz(CL=3)

200MHz(CL=3)

LVTTL

86pin TSOP （II）的

接口

包

组织

2Mx32

行地址

A0~A10

列地址

A0-A7

行&列地址的配置

-3-

修订版1.4 2004年8月

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