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K4S643232H-TC70 参数 Datasheet PDF下载

K4S643232H-TC70图片预览
型号: K4S643232H-TC70
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内容描述: 64MB H-模具( X32 ) SDRAM规格 [64Mb H-die (x32) SDRAM Specification]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 120 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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SDRAM 64Mb的H-模具( X32 )
引脚功能说明
CLK
CS
名字
系统时钟
芯片选择
输入功能
活跃在正边沿采样所有输入。
CMOS SDRAM
禁用或启用的设备操作,除了用屏蔽或使所有输入
CLK , CKE和DQM 。
面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。
CKE应该启用的至少一个周期之前的新命令。
禁止输入缓冲器掉电模式。
行/列地址被复用在相同的针。
行地址: RA
0
〜 RA
10
,列地址: CA
0
〜 CA
7
选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。
在列地址锁存器时选择的读/写的银行。
锁存器与RAS低CLK的正边沿行地址。
让行存取&预充电。
闩锁与中科院低CLK的正边沿列地址。
启用列的访问。
允许写操作和行预充电。
锁存来自中科院,我们开始积极的数据。
使得数据输出高阻,T
SHZ
后的时钟和掩模的输出。
块中的数据输入时, DQM活跃。
数据输入/输出复用在相同的针。
电源和地的输入缓冲器和核心逻辑。
对于输出缓冲隔离电源和接地,以提供改进的噪音
免疫力。
该引脚建议留在设备上的连接。
CKE
时钟使能
A
0
~ A
10
BA0,1
RAS
CAS
WE
DQM0 〜 3
DQ
0
~
31
V
DD
/V
SS
V
DDQ
/V
SSQ
NC
地址
银行选择地址
行地址选通
列地址选通
写使能
数据输入/输出面膜
数据输入/输出
电源/接地
数据输出电源/接地
无连接
-7-
修订版1.4 2004年8月