K6R1004V1D
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
广告
产业
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
d
T
英镑
T
A
T
A
等级
-0.5到4.6
-0.5到4.6
1
-65到150
0到70
-40到85
初步
初步
对于AT&T
CMOS SRAM
单位
V
V
W
°C
°C
°C
*
应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的本规范的经营部门所标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
建议的直流工作条件
(T
A
= 0 〜70℃ ）
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
3.0
0
2.0
-0.3*
典型值
3.3
0
-
-
最大
3.6
0
V
CC
+0.3**
0.8
单位
V
V
V
V
* V
IL
（最小值） = -2.0V交流转换器（脉冲宽度
≤
为8ns ），因为我
≤
20mA.
** V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2.0V交流转换器（脉冲宽度
≤
为8ns ），因为我
≤
20mA.
DC及经营特色*
(T
A
= 0至70℃ ， VCC = 3.3 ±0.3V ，除非另有规定）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
V
IN
=V
SS
到V
CC
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
V
OUT
=V
SS
到V
CC
分钟。周期， 100 ％占空比
CS = V
白细胞介素，
V
IN
=V
IH
或V
白细胞介素，
I
OUT
=0mA
COM 。
IND 。
待机电流
I
SB
I
SB1
输出低电压电平
输出高电压电平
V
OL
V
OH
分钟。周期， CS = V
IH
F = 0MHz处， CS≥V
CC
-0.2V,
V
IN
≥V
CC
-0.2V或V
IN
≤0.2V
I
OL
=8mA
I
OH
=-4mA
8ns
10ns
8ns
10ns
测试条件
民
-2
-2
-
-
-
-
-
-
-
2.4
最大
2
2
80
65
90
75
20
5
0.4
-
V
V
mA
单位
µA
µA
mA
*以上参数也保证在工业级温度范围。
电容*
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
项
输入/输出电容
输入电容
*电容进行采样，而不是100 ％测试。
符号
C
I / O
C
IN
测试条件
V
I / O
=0V
V
IN
=0V
典型值
-
-
最大
8
6
单位
pF
pF
-4-
修订版3.0
2004年7月
SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
