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    K6R1008V1D-TI10 参数 Datasheet PDF下载

    K6R1008V1D-TI10图片预览
    型号： K6R1008V1D-TI10
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 64Kx16位高速CMOS静态RAM （ 3.3V工作）工作在商用和工业温度范围。 [64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating) Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 9 页 / 194 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号K6R1008V1D-TI10的Datasheet PDF文件第1页浏览型号K6R1008V1D-TI10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K6R1008V1D-TI10的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K6R1008V1D-TI10的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K6R1008V1D-TI10的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K6R1008V1D-TI10的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K6R1008V1D-TI10的Datasheet PDF文件第7页浏览型号K6R1008V1D-TI10的Datasheet PDF文件第9页  
    K6R1004V1D
    写周期时序波形（ 3 ）
    （ CS =控制）
    t
    WC
    地址
    t
    AW
    CS
    t
    AS(4)
    WE
    t
    DW
    DATA IN
    t
    CW(3)
    t
    WP(2)
    初步
    初步
    对于AT&T
    CMOS SRAM
    t
    WR(5)
    t
    DH
    高-Z
    t
    LZ
    t
    WHZ(6)
    有效数据
    高-Z
    数据输出
    高-Z
    High-Z(8)
    注（ WRITE
    循环）
    1.所有的写入周期的定时从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
    低CS和WE重叠期间发生2.写。写在开始的最新过渡CS变低而我们要低;
    在最早转型写结束CS变高或我们要高。吨
    WP
    从写开始时所测到的端部
    写。
    3. t
    CW
    从CS的购买要低写入的结束测量。
    4. t
    AS
    从地址有效到写的开始测量的。
    5. t
    WR
    从写入地址变更的端部测量的。吨
    WR
    在适用的情况下写一个结尾为CS或者我们要高。
    6.如果OE ， CS和我们在阅读模式，在此期间，该I / O引脚输出低电平-Z状态。相反相位的输入
    的输出不能被应用，因为总线争用可能发生。
    7.对于通用I / O的应用，尽量减少或消除了总线争用条件是必须在读写周期。
    8.如果同时CS变低，与我们是否还是我们变低后，输出保持高阻态。
    9. Dout为新地址的读数据。
    10.当CS为低： I / O引脚的输出状态。在相反的相位与输入信号通往输出不应该
    应用。
    功能说明
    CS
    H
    L
    L
    L
    * X指唐
    ′
    不在乎。
    WE
    X
    H
    H
    L
    OE
    X*
    H
    L
    X
    模式
    不选择
    输出禁用
    读
    写
    I / O引脚
    高-Z
    高-Z
    D
    OUT
    D
    IN
    电源电流
    I
    SB
    , I
    SB1
    I
    CC
    I
    CC
    I
    CC
    -8-
    修订版3.0
    2004年7月

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