K6X0808C1D家庭
32Kx8位低功耗全CMOS静态RAM
特点
•
工艺技术：全CMOS
•
组织： 32K ×8
•
电源电压： 4.5 〜 5.5V
•
低数据保持电压： 2V （最小值）
•
三态输出与TTL兼容
•
封装类型： 28 - DIP- 600B ， 28 - SOP- 450 ，
28-TSOP1-0813.4F/R
CMOS SRAM
概述
该K6X0808C1D家庭是由三星公司制造
先进的CMOS工艺技术。家庭支持
verious的工作温度范围和具有各种封装
年龄类型的系统设计的用户灵活性。家庭
还支持低数据保持电压为电池后备
操作以低数据保持电流。
产品系列
功耗
产品系列工作温度范围的Vcc
速度
待机
(I
SB1
，最大值）
15µA
4.5~5.5V
K6X0808C1D-Q
Automotive(-40~125°C)
55
1)
/70ns
25µA
25mA
操作
(I
CC2,
MAX ）
PKG型
28 - DIP- 600B ， 28 - SOP- 450 ，
28-TSOP1-0813.4F/R
28 - SOP- 450 ， 28 TSOP1-0813.4F
K6X0808C1D-F
Industrial(-40~85°C)
1.参数与50pF的测试负载测试
引脚说明
OE
A11
A9
A8
A13
WE
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
功能框图
A10
CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VSS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
CLK GEN 。
预充电电路。
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
28-TSOP
类型1 - 前进
23
22
21
20
19
18
17
16
15
ROW
地址
ROW
SELECT
存储阵列
28-DIP
28-SOP
22
21
20
19
18
17
16
15
A3
A4
A5
A6
A7
A12
A14
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
15
16
17
18
19
20
28-TSOP
类型1 - 反向
21
22
23
24
25
26
27
28
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
CS
A10
I / O
1
I / O
8
数据
CONT
I / O电路
列选择
数据
CONT
列地址
引脚名称
CS
OE
WE
A
0
~A
14
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
引脚名称
I / O
1
-I / O
8
VCC
VSS
NC
功能
CS
数据输入/输出
WE
动力
地
无连接
OE
控制
逻辑
三星电子有限公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
2
修订版1.0
2003年12月
SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
