K6X0808C1D-GF55 参数 Datasheet PDF下载

型号：	K6X0808C1D-GF55
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内容描述：	32Kx8位低功耗CMOS静态RAM [32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 168 K
品牌：	SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]

K6X0808C1D家庭

时序图

读周期时序波形（ 1 ）

（地址控制

CS = OE = V

我们= V

)

地址

数据输出

以前的数据有效

CMOS SRAM

数据有效

读周期时序波形（ 2 ）

（WE = V

)

地址

OLZ

数据输出

注（ READ

循环）

和

OHZ

被定义为时间，让输出达到开路条件和没有被引用到输出电压

的水平。

2.在任何给定的温度和电压条件下，

（最大）小于

（分钟）都对于给定的设备和从设备到设备

互联。

OHZ

数据有效

高-Z

修订版1.0

2003年12月

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